电子行业：长鑫科技IPO获受理 重视存储产业链国产化机遇

　　事件：国内DRAM 龙头企业长鑫科技的科创板IPO 申请已正式获得受理，并披露招股说明书。
　　长鑫科技25H2 业绩表现亮眼，深度受益存储涨价周期。根据公司招股说明书，长鑫科技25Q3 营收达166.5 亿元，同比增长149%；扣非净利润13.2 亿元，同比增长174%；息税折旧摊销前利润59.0 亿元，同比增长120%，25Q3 综合毛利率达到35%。公司预计全年营业收入550-580 亿元，同比增长127%-140%；扣非净利润28-30 亿元，同比增长136%-138%。我们测算25Q4 长鑫科技实现营业收入229-259 亿元，环比增长38%-56%；实现扣非净利润39-41 亿元。部分投资者担忧后续海外存储原厂会以大规模扩产应对当前通用存储供不应求的局面，导致存储景气周期过早结束。我们认为，海外存储巨头重点布局HBM，在通用存储方面产能释放可能有限，存储供不应求的情况仍有望持续较长时间。长鑫科技在25Q3 及25Q4 业绩实现大幅增长，体现出公司凭借产销规模的持续增长以及产品结构的持续优化，深度受益于DRAM 涨价周期，未来有望持续实现较为强劲的业绩。
　　长鑫科技有望持续扩产，推动相关设备的国产化进程。基于Omdia 数据测算，按25Q2 DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%。在此前的报告中我们指出，存储供不应求持续，同时海外存储巨头在通用存储方面的扩产进度可能有限，为长鑫科技扩产、提升份额带来历史性机遇。根据公司招股说明书，公司本次募投项目包括存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，预计拟使用募集资金金额分别为75 亿元、130 亿元和90 亿元。DRAM 高难度工艺环节众多，对供应链上游的设备先进性和技术更新需求高，长鑫科技未来持续扩产下有望推动相关设备的国产化进程。
　　长鑫科技推进跳代研发，有望以新技术方案持续缩小差距。长鑫科技加快技术创新，目前已完成从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X 到DDR5、LPDDR5/5X 的产品覆盖和代际演进，核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。目前国际领先 DRAM 企业已进入制程节点微缩瓶颈，新产品开发中面临的成本巨幅增长与物理极限的逼近问题导致工艺难度大幅提升。
　　基于此，DRAM厂商正积极尝试4F2结构、CBA（CMOS directly Bonded to Array）等新技术解决方案。在新技术领域的研发上，国内厂商与国际前三家厂商均处于探索阶段，国内厂商有望通过产品与技术的革新逐步缩小与国际领先水平的差距，甚至实现部分技术与产品的弯道超车。
　　存储供不应求持续，重视存储产业链国产化机遇。相关标的：国内半导体设备企业中微公司、精智达、京仪装备、微导纳米、拓荆科技、北方华创等；国内封测企业深科技、汇成股份、通富微电等；配套逻辑芯片厂商晶合集成等；布局端侧AI 存储方案的兆易创新、北京君正等；受益存储技术迭代的澜起科技、联芸科技等；国产存储方案厂商江波龙、德明利、佰维存储、联想集团等。
　　风险提示
　　AI 落地不及预期，技术迭代速度不及预期，国产化进展不及预期
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