三星电子Q1 DRAM价格涨幅从70%上调至100% 朗科科技涨超10%

3月6日， 存储芯片概念盘中再度活跃，朗科科技（300042.SZ）涨超10%，此前诚邦股份（603316.SH）走出3天2板，香农芯创（300475.SZ）、佰维存储（688525.SH）、灿芯股份（688691.SH）、德明利（001309.SZ）、万润科技（002654.SZ）涨幅靠前。

消息面上，3月4日，三星电子已于上月与主要客户完成一季度DRAM供货价格的最终谈判，服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%。

机构分析指出，AI算力需求爆发正在重构存储行业供需格局。TrendForce集邦咨询调查显示，2025年第四季度全球NAND Flash产业营收受惠于AI建设需求，前五大品牌厂营收合计大幅季增23.8%，达211.7亿美元。由于NAND Flash供需严重失衡，原厂继续拉抬价格的意愿强烈，TrendForce因此上调第一季度整体NAND Flash价格预估为季增85%至90%。

多家机构研究报告指出，存储芯片涨价潮在2026年仍将持续。Counterpoint Research预计2026年第一季度市场价格还将上涨40%至50%，第二季度继续上涨约20%。TrendForce进一步判断，2026年在可预见NAND Flash扩产有限及AI需求爆发的影响下，价格将维持高涨态势。

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