SK海力士20日宣布，已在全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3DRAM新产品，容量较上一代HBM3DRAM提升50%，已向客户提供样品，正在接受客户公司的性能验证，将在上半年内完成量产准备，以“加强尖端DRAM市场主导权”

2023-04-20 08:42:11 和讯李显杰

快讯摘要

SK海力士20日宣布，已在全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3DRAM新产品，容量较上一代HBM3DRAM提升50%，已向客户提供样品，正在接受客户公司的性能验证，将在...

SK海力士20日宣布，已在全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3DRAM新产品，容量较上一代HBM3DRAM提升50%，已向客户提供样品，正在接受客户公司的性能验证，将在上半年内完成量产准备，以“加强尖端DRAM市场主导权”。

（责任编辑：李显杰）

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