电子行业动态点评：第三代半导体专家十问十答：SIC&GAN路在何方？

　　SiC 商业化进程领先GaN 三年，预计2026 年投资扩产或转向GaN
SiC 和GaN 作为新型功率半导体材料，已进入快速发展阶段。2018 年特斯拉的功率器件应用加速了SiC 应用于新能源车的进程。SiC 相较GaN 有三年的商业化领先，全球市场由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司垄断。在小米推出手机快充后，GaN 产业规模迅速扩大，产业龙头有住友化学、英飞凌、三安光电等。GaN 相较SiC 长晶速度快、成本更低，GaN 可以利用现有的硅（Si）工艺和设备，在普通的硅衬底上生长。而SiC 则需要采用高纯度的SiC 衬底，大幅提高了材料成本。GaN 未来的增长动能取决于能否在工业、汽车领域应用，但GaN 上车仍处于送样测试阶段，车规级器件放量预计会在2028 年左右。展望未来，SiC 和GaN 或将形成各自的市场格局，预计2026 年随着SiC 产能饱和，大型公司可能将目光转向GaN 领域投资扩产。
　　SiC 领域M&A 活跃，Coherent 通过合资子公司提前锁定日本市场
　　在SiC 领域，融资并购活动主要是公司为了掌握核心技术提升良率，从而实现规模效应来降本增效，或是为了锁定产能确保衬底供应的稳定性。
　　2008 年罗姆公司收购SiCrystal，2019 年意法半导体收购Norstel，以及2021 年安森美收购了GT Advanced，在后续业务实践中都实现了双赢。
　　2022 年II-VI 收购Coherent 后，新公司命名为Coherent，并加速SiC 业务布局。今年10 月11 日，三菱电机和Denso 分别投资5 亿美元在Coherent 子公司Silicon Carbide LLC 各占股12.5%，签署6 英寸和8 英寸SiC 晶圆的长期供应协议，提前锁定日本市场。
　　国内SiC 龙头在质量和工艺取得突破，降本增效取决于多方面因素
　　国内SiC 衬底龙头在质量方面实现较大突破，但在工艺上仍有差距。1）技术来源：国内60 余家SiC 衬底企业，主要的技术和人才来源于天科合达和天岳先进；2）质量：我们认为国内SiC 衬底质量能与国外巨头相媲美，具备竞争力；3）工艺：海外内龙头企业在长晶速度上距离也缩小。专家表示， 国内长晶速度在每周20-30mm（ 切20-30 片），Wolfspeed 和Coherent 长晶速度在每10 余天长40-50mm（切40-50 片）；4）长晶设备：国内PVT 设备国产率高，性价比较高；5）能源：由于长晶炉内温度高达2400 摄氏度，能耗大。而国内太阳能、风电水电充足，有潜在降本可能性；6）技术人才：国外龙头企业的技术团队更加稳定。
　　长晶技术为大尺寸SiC 衬底研发核心挑战，激光切割或为下一代技术主流
　　国内晶圆尺寸在从4 到6 英寸过渡，6 英寸去年开始大规模量产，8 英寸全球只有Wolfspeed 在纽约的莫霍克谷工厂有小批量试产，良率为公司核心机密未披露。8 英寸晶圆性价比较低，面积约为6 英寸晶圆的1.8 倍，但价格高达2000 美元为6 英寸片价格的2.5 倍。长晶技术是研发8 英寸SiC 衬底的核心挑战，由于长晶过程类似“黑匣子”，在高成品率和拉晶长度之间取合适平衡需要大量的工艺经验积累，还需要对材料、坩埚、热场、SiC粉末等不断进行优化和升级。后续切磨抛过程中，8 英寸由于其更大尺寸，在切割过程中出现的应力、翘曲等问题亟需技术迭代，激光切割技术或为下一代主流方案。
　　风险提示：SiC 长晶技术研发不达预期、SiC 器件降本不达预期、价格竞争愈演愈烈等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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