北大等团队：首创“蒸笼”法造硒化铟超3纳米硅基芯片

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【中国科学家首创“蒸笼”法实现高性能硒化铟材料晶圆级集成制造】 集成电路作为现代信息技术的核心基础，近年来，由于硅基芯片性能逐渐逼近物理极限，开发新型高性能、低能耗半导体材料成为全球科技研发的热点。其中，二维层状半导体材料硒化铟凭借迁移率高、热速度快等优良性能，被视作有望打破硅基物理限制的新材料。 由北京大学、中国人民大学科研人员组成的研究团队，经过四年的攻关，首创出一种“蒸笼”新方法。该团队首次在国际上达成了高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。该成果于18日在线发表在《科学》杂志上。

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