电子行业存储芯片周度跟踪：NAND／DRAM价格小幅波动 美光HBM产能维持高增速

NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，SLC NAND 价格或将温和上涨。根据DRAMexchange，上周（0520-0524）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.67%至1.33%，平均涨跌幅为-0.23%。其中7 个料号价格持平，6 个料号价格上涨，9 个料号价格下跌。根据证券时报网报道，展望后市兆易创新公司高管预计，鉴于SLC NAND 需求回暖和价格上涨比利基DRAM 大约晚一个季度，判断SLC NAND 未来价格将温和上涨。
DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子3D DRAM 堆叠至16 层。根据DRAMexchange，上周（0520-0524）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.27%至0.25%，平均涨跌幅为-0.63%。上周3 个料号呈上涨趋势，15 个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子成功将下一代存储半导体3D DRAM 堆叠到16 层。3D DRAM 是一种称为“垂直堆叠单元阵列晶体管(VS-CAT)”的下一代存储器，其概念是像堆叠纸张一样垂直堆叠DRAM 单元。三星电子通过VS-CAT 和垂直通道晶体管(VCT)等，旨在在下一代DRAM 市场中拉开技术差距。
HBM：美光2025 年HBM 供应谈判已基本完成，未来产能CAGR 或达50%。根据CFM 闪存市场报道，美光HBM 业务规模在2025 会计年度将增长至数十亿美元。美光2025 年HBM 供应谈判基本上已经完成，已与下游客户基本敲定了2025 年HBM 订单的规模和价格。美光预测，在未来数年间其HBM 的位元产能的复合年成长率将达到50%。
市场端：渠道和行业部分SSD 价格小幅下调。上周（0520-0524）eMMC 价格与UFS 价格持平。根据DRAMeXchange 报道，市场整体需求氛围表现不佳，现货市场卖压持续扩大，终端需求亦未见好转，原厂端虽积极拉抬官价，但仅在SSD 部分造成微幅波动，零星成交，无法拉抬并带动整体买气，wafer 及eMMC 报价方面持续下探。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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