半导体行业快报：英伟达“RUBIN”确认搭载HBM4 HBM加速迭代升级

投资要点
2024 年6 月2 日，黄仁勋宣布下一代AI 平台“Rubin”将集成HBM4 内存，预计于2026 年发布。
“Rubin”确认搭载HBM4，存力成为重要升级方向北京时间2024 年6 月2 日，英伟达（NVIDIA）CEO 黄仁勋在COMPUTEX 2024大会上发表主题为“开启产业革命的全新时代”的演讲，宣布Blackwell 芯片已开始投产，其增强版Blackwell Ultra GPU 芯片预计于2025 年推出；下一代数据中心GPU 架构名为“Rubin”，将集成HBM4 内存，Rubin GPU 和Rubin UltraGPU 预计分别于2026 年和2027 年发布。
存力是英伟达AI 产品的重要升级方向。基于Hopper 架构的H200 发布于2023年11 月，搭载了6 颗HBM3E 芯片，容量为141GB，带宽为4.8TB/s。时隔仅4 个月，英伟达发布了新一代GPU 架构——Blackwell；Blackwell GPU 搭载了8 颗8 层HBM3E 芯片，容量达192GB，带宽高达8TB/s，现已开始投产；其增强版Blackwell Ultra GPU 芯片预计于2025 年推出，将搭载8 颗12 层HBM3E芯片。英伟达计划于2026 年推出名为“Rubin”的下一代数据中心GPU 架构。
基于Rubin 架构的Rubin GPU 将配备8 个HBM4 芯片；其增强版Rubin UltraGPU 将集成12 颗HBM4 芯片，预计于2027 年推出，这也是英伟达首次在其AI 半导体芯片中使用12 颗HBM 芯片。
三大原厂加速HBM 迭代，推动产业链配套升级美光、SK 海力士和三星三大存储原厂于2024 年相继实现HBM3E 的量产，同时加速推进HBM4 的研发工作。
美光：2024 年2 月，美光宣布量产HBM3E，并将搭载于NVIDIA H200 TensorCore GPU。该产品单引脚最大I/O 速率超9.2Gbit/s，最高带宽超1.2TB/s，层数为8 层，容量为24GB。此外美光还提供容量为36GB 的12 层堆叠HBM3E样品。美光计划于2026 年发布HBM4 产品，最高带宽超1.5TB/s，容量为36GB~48GB，堆叠层数达到12/16 层。美光预计2028 年推出HBM4E 产品，容量将提升至48GB~64GB，带宽增加至2TB/s 以上，而堆叠层数仍为12/16 层。
SK 海力士：2023 年8 月，SK 海力士宣布成功开发出HBM3E，单引脚最大I/O速率为9.2Gbit/s，层数为12 层，最高带宽超1.18TB/s；同时该产品采用了MR-MUF 技术，散热性能提升10%。2024 年3 月，SK 海力士宣布HBM3E 已开始量产。2024 年4 月，SK 海力士宣布将与台积电合作开发HBM4 产品。SK海力士表示，应大客户要求，HBM 开发进度将提前一年，预计于2025 年完成HBM4 的开发；HBM4E 最早于2026 年推出，内存带宽将是HBM4 的1.4 倍。
三星：2023 年10 月，三星推出其HBM3E 产品——“Shinebolt”，单引脚最 大I/O 速率高达9.8Gbit/s，同时提供1.2TB/s 的高带宽。根据Wccftech 消息，8 层HBM3E 已于2024 年4 月量产，容量高达36GB 的12 层HBM3E 计划于24Q2 实现量产。在ISSCC 2024 上，三星公布了其HBM4 的研究成果，最高带宽达2TB/s，并通过16 层堆叠实现48GB 容量，计划于2025 年推出。
我们认为，以英伟达为代表的AI 芯片厂商正加快开发周期，作为AI 芯片最强辅助的HBM 也在加速迭代，推动HBM 产业链持续配套升级的同时带来新需求。
投资建议：建议关注HBM 产业链相关标的：1）封测环节：通富微电（先进封装）、长电科技（先进封装）等；2）设备环节：拓荆科技（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科（减薄+CMP）、华卓精科（拟上市，键合设备）、芯源微（临时键合与解键合）等；3）材料环节：华海诚科（环氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV 电镀添加剂）、艾森股份（先进封装电镀）等。
风险提示：行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。