有色金属行业点评报告：三星NAND材料引入新元素 钼下游或迎增量

　　事件：三星拟在第9 代V-NAND 的金属布线艺过程中应用钼元素近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，该产品拥有当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，在位密度、功耗、数据输入/输出速度等方面都比第八代产品更有优势。同时，三星拟在新一代V-NAND 的金属布线工艺中使用钼金属替代钨金属，并已引进5 台钼沉积机用于该工艺，预计未来一年内将再引进20 台同类设备。钼具有高电导率、低电阻和优异的耐久性等特点，以上特性将使得V-NAND 闪存在数据传输速度、存储密度和耐用性等方面实现显著提升。随着钼技术的逐步普及和成熟，它还有望成为未来NAND 闪存制造中的一个重要趋势，推动整个行业的技术进步和发展。
　　对比传统的钨材料，钼金属更符合NAND 技术发展趋势NAND 技术是指NAND 型闪存（NAND flash memory）技术，它是一种非易失性存储技术，用于制造高容量的数据存储设备，当前的技术方向是通过能构建更多层数的3D NAND 工艺以提高NAND 的性能，并广泛应用于便携式电子设备和数据存储。其中，金属栅极作为晶体管的一部分，主要功能是控制晶体管的开关状态，由于金属栅极材料通常具有较低的电阻率，对减少器件的功耗并提高性能具有重要的意义，同时金属栅极能适应3D NAND 技术，提供必要的电气连接和控制。此前，三星主要使用钨元素作为金属栅极，但钨沉积过程中产生的残留氟成分溢出会损伤结构。此外，随着层数的增加，也要求缩小层厚以控制堆叠的高度。三星使用钼元素制成的金属栅极在小尺寸具有较低电阻率，可以有效降低层厚，允许在NAND 中堆叠更多层。
　　钼资源：供给逐步刚性，需求稳步增长
　　根据USGS 数据，从产量数据看，全球钼产量由2020 年的29.8 万吨，下降至2022年的25 万吨，下滑16.1%，2023 年产量小幅反弹至26 万吨。海外存量矿山品位下滑对钼供给影响严重，未来钼供给或并不乐观。从储量数据看，2023 年全球钼资源储量为1500 万吨，尽管相较于2022 年的1200 万吨出现快速反弹，但相较2020 年的1800 万吨仍然下滑16.7%。我们认为，海外存量矿山普遍面临品位下滑问题，对钼供给影响严重，未来钼供给或并不乐观。
　　近年来钼金属需求稳步增长。2023 年全球消费量同比增长0.78%至28.60 万吨，2020 年至2023 年CAGR 为5%，钼主要下游为钢铁领域，结构钢/不锈钢/化学品的消费占比分别为38%/25%/13%。而根据钨钼云商披露，2024H1，国内钼精矿/钼铁/钼酸铵/钼粉消费量分别同比增长9.31%/30.32%/19.23%/18.10%。由于在NAND 领域中钼对钨元素存在替代效应，钼金属在半导体领域具有可观的应用前景，有望带来新的需求增量。
　　投资建议：钼需求稳中有升，钼产业相关标的将受益，推荐标的：金钼股份。
　　风险提示：技术应用不及预期，伴生矿随主品种迅速放量，单体钼矿快速放量。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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