三星电子、SK海力士及美光：NANDFlash资本支出减少，Q3或供过于求

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【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减，Q3 NANDFlash或供过于求】

随着HBM高价产品贡献获利的快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NANDFlash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去两年，三星电子、SK海力士及美光今年对NANDFlash资本投资不增反减。NANDFlash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第三季NANDFlash或微幅供过于求，而NANDFlash价格上涨也将趋于平缓。