SK 海力士:2026 年二季度量产 400+层 NAND 闪存

2024-08-01 14:21:30 自选股写手 

快讯摘要

8 月 1 日,SK 海力士拟加速下一代 NAND 闪存开发,2025 年末完成量产准备,2026 年二季度大规模生产。

快讯正文

【8 月 1 日,SK 海力士加速下一代 NAND 闪存开发!】

据 ETNews,SK 海力士计划在 2025 年末完成 400+层堆叠 NAND 的量产准备。

2026 年二季度将正式启动大规模生产。

(责任编辑:张晓波 )
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