电子行业周报：三星否认其HBM3E通过英伟达所有测试 第三代半导体8英寸时代加速

　　上周回顾
　　8 月5 日-8 月9 日当周，申万一级行业普遍处于分化的状态。其中电子行业上涨1.30%，位列第8 位。估值前三的行业为国防、综合、计算机，电子行业市盈率为43.07，位列第4 位。
　　电子行业细分板块比较，8 月5 日-8 月9 日当周，大部分电子行业细分板块处于上涨态势。其中，消费电子零部件及组装、印制电路板、光学元件涨幅最大。估值方面，数字芯片设计、半导体材料、模拟芯片设计估值水平位列前三，LED、集成电路封测估值排名本周第四、五位。
　　三星否认其8 层堆叠的HBM3E 通过英伟达资格测试，但验证进度有望加速
　　之前有媒体报道，三星在抢夺HBM 市场上取得重大进展，三星已通过了英伟达的第五代高带宽内存芯片 HBM3E 资格测试，报道称，三星和英伟达预计将很快签署供应协议，首批产品可能于今年第四季度开始交付。但是三星电子于本周三否认了路透社有关其第五代 HBM3E 芯片已通过 Nvidia 的资格测试的报道，称“仍在与主要客户进行测试”。三星去年以来来一直在努力通过 Nvidia 的认证测试，其最大竞争对手SK 海力士自2 月份以来一直向 Nvidia 供应最先进的 8层 HBM3E。三星电子执行副总裁金在俊在两周前的财报电话会议室表示，预计HBM3E 芯片将占其 HBM 总销量的 60%。
　　目前全球只有SK 海力士、美光科技、三星生产这种高尖端高附加值存储芯片，根据TrendForce，SK 海力士目前主导着这个新兴市场，预计今年将占据 52.5% 的市场份额。三星预计将占据42.4%，而美光预计将占据剩余的5.1%。预计今年下半年HBM3E 将成为主流产品，SK 海力士表示，计划于 2025年下半年开始供应12 层HBM4。
　　HBM 缺货或影响全球数据中心GPU 的供应和数据中心开发商的扩张计划。今年5 月，SK 海力士宣布，其2024 年和2025年大部分时间的高带宽内存(HBM)芯片供应已售罄。根据TrendForce 预测，HBM 在整个内存市场的份额将在 2024 年增长近一倍，从 2023 年的 2% 增至今年的 5%。展望未来，预计到 2025 年，HBM 的市场份额将超过整个内存市场的10%。预计从2024 年开始高带宽内存将占DRAM 总市场价值的20% 以上，到2025 年可能超过30%。HBM 内存的制造成本更高，制造难度更大，制造时间也比标准 DRAM 更长。因此，内存制造商不可能立即转向增加 HBM 产量。三星HBM3E 在英伟达的验证进度有望加速。建议关注：赛腾股份、精智达、芯源微、伟测科技等。
　　英飞凌投资全球最大碳化硅 (SiC) 功率半导体晶圆厂，第三代半导体8 英寸时代加速
　　英飞凌投资20 亿欧元的居林晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的 200 毫米碳化硅 (SiC) 功率半导体晶圆厂，同时还将生产氮化镓 (GaN) 器件。英飞凌科技公司已正式启用位于马来西亚居林的新功率工厂一期，该工厂一期投资 20 亿欧元，采用外购 SiC 晶圆 生产SiC 功率半导体，还将包括氮化镓 (GaN) 外延。第二阶段的投资额高达 50 亿欧元，将打造全球最大、最高效的200 毫米SiC 电源工厂。英飞凌已获得价值 50 亿欧元的设计订单，并已从现有和新客户那里收到约 10 亿欧元的预付款，用于持续扩建居林 3 号工厂。这些设计订单包括汽车行业的六家 OEM 以及可再生能源和工业领域的客户。居林 3 将与位于奥地利菲拉赫的英飞凌工厂紧密相连，菲拉赫是英飞凌的全球功率半导体能力中心，该公司已在该工厂提高了 SiC 和 GaN 功率半导体的产能。公司的目标是在2025 年将生产规模从6 英寸扩大到8 英寸。建议关注：天岳先进、三安光电、东尼电子、晶盛机电、晶升股份等。
　　风险提示
　　半导体制裁加码，晶圆厂扩产不及预期，研发进展不及预期，地缘政治不稳定，推荐公司业绩不及预期等风险。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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