【金属研究所研发新型晶体管，有望提升集成电路性能】 金属研究所近日宣布，通过石墨烯等材料的应用，开发出一种新型“受激发射”热载流子生成机制，并构建了“热发射极”晶体管。这种晶体管不仅降低了功耗，还具备“负电阻”特性，预计将推动集成电路的集成度和功能性提升。该研究成果已于8月15日在《自然》杂志上发表。这一技术突破可能对半导体行业产生深远影响，为未来的电子设备提供更高效、更强大的处理能力。
王治强 08-15 13:21
刘畅 08-10 16:12
董萍萍 08-09 07:33
董萍萍 08-08 08:36
刘畅 07-25 15:14
董萍萍 07-23 09:21
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