电子行业：存储芯片周度跟踪：SK海力士加入4F DRAM研发阵营 为WAYMO自动驾驶独家供应HBM2E

　　核心观点
　　NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，2Q24 NAND Flash/DRAM市场营收排名出炉。根据DRAMexchange， 上周（0812-0816）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.77%至3.81%，平均涨跌幅为-0.01%。其中7 个料号价格持平，6 个料号价格上涨，9 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，在AI 服务器出货大幅增长的推动下，eSSD、 DDR5 RDIMM 和HBM 需求稳定提升，带动原厂NAND Flash 和DRAM ASP 逐季上涨。2024 年全球存储市场规模的显著增长，主要取决于上半年全面上涨的存储价格，以及服务器市场复苏对服务器存储量价齐升带来的积极影响。
　　DRAM：颗粒价格小幅波动，SK 海力士加入4F DRAM 研发阵营。
　　根据DRAMexchange，上周（0812-0816）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.84%至0.33%，平均涨跌幅为-0.54%。上周2 个料号呈上涨趋势，16 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士近日宣布，计划开发4F DRAM。自1c DRAM 商业化以来，EUV 工艺成本一直在快速上涨。SK 海力士正在考虑为未来的DRAM 制造引入垂直栅极 (VG) 或 3D DRAM 技术，采用 VG 或 3D DRAM，可将 EUV 工艺成本降低一半。
　　HBM：SK 海力士为Waymo 自动驾驶独家供应HBM2E。根据CFM闪存市场报道，SK 海力士已单独生产专门用于汽车用途的HBM2E，使其成为唯一一家将HBM 商业化用于汽车的公司。HBM 最初是为高性能计算 (HPC) 和数据中心开发的，现在正被应用于汽车，这反映了现代汽车应用日益增长的计算需求。我们认为，受益于AI 不断发展，算力卡需求攀升，HBM 产业链有望持续受益。
　　市场端：渠道和行业SSD 价格小幅波动。上周（0812-0816）eMMC价格下降0.73%，UFS 价格持平。根据CFM 闪存市场报道，近期，渠道市场SSD 和内存条报价继续下调，但与此前相比，降幅空间逐渐收敛。行业市场方面，成交价格较为稳定，个别SATA SSD 价格有所下调，PCIe 系列SSD 和内存条价格基本维持不变。现货嵌入式行情方面，目前现货市场上32GB 嵌入式价格有所下滑，本周32GBeMMC 价格跟随市场小幅调降，其他嵌入式产品持平不变。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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