电子行业：存储芯片周度跟踪：SK海力士Q2营收创新高 三星电子拟补充DRAM产能

　　核心观点
　　NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，平泽P4 工厂将投入NAND设备。根据DRAMexchange，上周（0722-0726）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.47%至0.59%，平均涨跌幅为-0.15%。其中16 个料号价格持平，1 个料号价格上涨，5 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4 工厂订购NAND 闪存生产设备，预计该工厂将安装NAND闪存、DRAM 和代工生产线。三星电子此次重新启动设备投资，显示出其对市场完全恢复的信心。
　　DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子转换平泽四厂为"DRAM 专用"。根据DRAMexchange，上周（0722-0726）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.47%至1.88%，平均涨跌幅为0.06%。上周9 个料号呈上涨趋势，8 个料号呈下降趋势，1 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，为补充因HBM 供应而导致的通用DRAM 供应不足，三星电子决定将平泽四厂（P4）转换为DRAM 专用生产线。
　　原本计划将P4 工厂的一楼分为NAND 和代工生产线，但现在计划将其改为专用的DRAM 生产线。预计从2025 年上半年开始，向P4 引进专用的DRAM 设备。
　　HBM：SK 海力士Q2 营收创历史新高，预计2025 年HBM 出货量比2024 年增长一倍以上。根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士2024 财年第二季度营业利润率为33%，净利润率为25%，实现了季度收入创历史新高，HBM 销售额环比增长80%以上。SK 海力士表示：2024 年HBM 年度销售额预计将比2023 年增长300%，预计2025 年的出货量将比2024 年增长一倍以上。
　　市场端：渠道和行业SSD 价格保持稳定。上周（0722-0726）eMMC价格持平，UFS 价格持平。根据CFM 闪存市场报道，渠道方面，随着渠道低端资源价格下跌叠加终端需求较弱，渠道产品价格再度出现下滑。消费端需求短期难有改观，渠道行情尚未止跌。行业方面，近期工控客户释出部分SSD 小单需求，且报价相对合理，行业厂商接单较为积极。目前PC 市场需求冷淡，实际成交不佳；另外海外教育类标案延迟。本周行业SSD 和内存价格趋于稳定。目前嵌入式终端仍然持续关注原厂官价的落地情况，市场行情普遍趋于平稳，本周嵌入式产品价格维持不变。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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