三星电子、SK海力士：DRAM技术升级，能效提升

【韩国半导体巨头三星电子和 SK 海力士对第六代 10 纳米级 DRAM 进行技术升级】
SK 海力士 8 月底宣布开发出业界首款第六代 10 纳米级 DRAM 芯片，运行速度 8Gbps，比前一代速度提高 11%，用于高性能数据中心。
SK 海力士称该芯片能效提高 9%以上，能助数据中心减少 30%电力成本。
三星电子考虑在 10 纳米级第六代 DRAM 的 40—50 层堆叠中，将干式光刻胶技术用于某一层电路制造，用于超微细电路的极紫外光光刻胶，若用于量产将影响现有光刻材料与设备生态系统。

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