半导体：工信部公布国产光刻机相关信息 自主可控提振信心

本期投资提示：
工信部官方文件披露国产ArF 光刻机进入推广应用阶段。9 月9 日，工信部公布《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》，其中集成电路生产装备章节列示了氟化氪（KrF）光刻机、氟化氩（ArF）光刻机两项，意味着国产KrF、ArF 光刻机已完成首台生产、进入推广应用阶段。
工信部列示的国产ArF 光刻机对应制程≤65nm，预计为干式DUV 光刻机。根据工信部文件所示的核心技术指标，该ArF 光刻机分辨率≤65nm，即对应单次曝光关键尺寸≤65nm（通俗称即为制程≤65nm），预计为数值孔径（NA）相对较低的干式ArF 光刻机。2018 年3 月上海微电子的干式ArF 光刻机SSA600 通过验收，SSA600 最高可满足12 寸线90nm 光刻工艺需求，工信部列示的ArF 光刻机与SSA600 均为干式+ArF 光源，但制程更先进，预计因数值孔径有所增加、但仍有较大提升空间。
工信部列示的国产ArF 光刻机套刻精度≤8nm，尚有提升空间。根据工信部文件所示的核心技术指标，该ArF 光刻机套刻精度≤8nm，作为对标，当前ASML 生产的干式ArF 光刻机主力机型NXT:1470，其分辨率≤57nm、套刻精度≤4.5nm。套刻精度即多次光刻的图案层之间的对齐精度，多重曝光工艺对套刻精度的要求更高，预计工信部列示的ArF 光刻机尚需提升套刻精度才能满足多重曝光工艺。
国产光刻机及光刻工艺技术持续进展，信息部分公开提振市场信心。此前国产光刻机相关公开信息较少，保密程度高，而2024 年以来，3 月22 日华为公开四重曝光工艺技术改进优化的专利，6 月20 日工信部发布《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》公示稿（后于9 月9 日正式发布），9 月10 日上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的专利，国内光刻设备及曝光工艺公开信息增多，有助于提振市场信心。
工信部指导目录亦列示涂胶显影、CMP、量测等半导体设备。工信部在推广应用指导目录中，列举了涂胶显影机（工艺节点等于或优于28nm）、化学机械抛光机（工艺节点等于或优于14nm）、光学线宽量测装备等，其余亦包含湿法清洗、氧化炉、离子注入等环节装备，当前国产半导体设备多领域处于研发突破关键阶段，短板领域未来有望加速补齐，助力先进制程产线国产化率进一步提升。
投资分析意见：官方披露核心设备进展提振市场信心，国产光刻机相关产业链受益，国内晶圆厂扩产自主可控可期，国产半导体设备整体受益。国产光刻机相关标的：茂莱光学，波长光电，炬光科技，福晶科技；半导体设备公司：中微公司（刻蚀、薄膜沉积等），北方华创（薄膜沉积、刻蚀、清洗设备、氧化炉等），中科飞测、精测电子（前道检测量测设备），拓荆科技（薄膜沉积、键合设备等），芯源微（涂胶显影、清洗设备等）。
风险提示：国内设备厂商研发进程不及预期；国内晶圆厂扩产进度不及预期。
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