半导体设备行业快报：65NM ARF光刻机官宣 国产光刻机行则将至

事件点评
65nm ArF 光刻机官宣，参数对标ASML1460K 及Nikon S322F。为促进首台（套）重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同，工业和信息化部印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》。根据市场监管总局等五部门联合印发的《中国首台（套）重大技术装备检测评定管理办法（试行）》，该文件对中国首台（套）重大技术装备做出了明确定义：指在国内实现重大技术突破、拥有自主知识产权，但尚未在市场上取得明显业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。
在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》电子专用装备目录下，集成电路设备方面披露氟化氩光刻机和氟化氪光刻机，两者均属于DUV光刻机，氟化氩（ArF）光刻机参数为分辨率≤65nm、套刻≤8nm；氟化氪（KrF）参数为分辨率≤ 110nm 、套刻≤ 25nm 。其中， 65nm ArF 光刻机指标与ASML1460K/Nikon S322F 接近。根据华瑞博远统计，ASML1460K ArF 光刻机，波长为193nm，分辨率≤65nm、套刻精度为3.5/5.0nm，产量≥205wph；NikonS322F ArF 光刻机，波长为193nm（134nm），分辨率≤65nm、套刻精度为2.0/5.0nm，产量≥230wph。根据光刻人笔记信息，65nm 工艺的主要特点包括足够成熟、足够先进（相对于90nm）、良率高、产量大以及设计平台的成熟可靠。与前一代90nm 制程相比，65nm 制程的标准元件密度增加两倍，具备更高的整合性和更好的性能。此外，65nm 工艺还广泛应用于射频器件（RF-SOI）的生产中，并已实现量产。
套刻精度为前后图案层对齐精度，工艺节点越小对套刻精度要求越高。套刻精度（overlay），指前一个图案层与后一个图案层之间的对齐精度。由于一个器件可能需要经过多次光刻步骤来完成不同层，因此每一层图案都需要与先前层精确对齐。细微的偏移可能会导致电路性能降低，良率下降，甚至芯片完全失效。
两层之间图案的实际相对位置与期望相对位置之间的偏差，叫套刻准容差。套刻容差越大，实际生产中的套准误差越大，同一个器件，需要的面积也就越大，会产生许多问题。随着特征尺寸的减小，允许的绝对套准误差变得更小。而随着特征尺寸的降低，芯片的层数一般会持续增加，套准误差可能会在多个层级中累积。
这些误差可以叠加起来，导致更大的综合偏差。套刻精度分为OPO（产品本身的套刻精度）、DCO（同一台设备自身套自身的精度），MMO（不同设备之间的套刻精度），如ASML 的NXT 1980Di，OPO≤3.5nm，DCO≤1.6nm，MMO≤2.5nm。根据电子工程世界披露，1980Di 是ASML 现有效率较低光刻机，支持NA1.35 光学器件、分辨率<38nm，理论上可以支持7nm 工艺，大多数晶圆厂使用1980Di 光刻机，主要生产14nm 及以上工艺芯片。
投资建议：光刻机技术是半导体工艺中的关键，决定了芯片晶体管尺寸大小，直接影响芯片性能和功耗。自美国对中国半导体制裁起，光刻机对国内半导体行业发展及集成电路产业链自主可控重要性日益凸显。建议关注光刻机产业链“卡脖子”环节中技术积累较深或直接/间接进入ASML/上海微电子等供应链环节厂 商。如芯碁微装（直写光刻）、富创精密（零部件）、炬光科技（光学器件）、赛微电子（物镜）、波长光电（光源）、奥普光电（整机）、腾景科技（光学器件）、福晶科技（光源）、茂莱光学（光源）、电科数字（计算/控制模块）、新莱应材（零部件）、美埃科技/蓝英装备（洁净设备）、同飞股份/海立股份（温控）、东方嘉盛（服务）、上海微电子（整机，未上市）、华卓精科（工件台，未上市）。
风险提示：技术研发风险；宏观经济和行业波动风险；国际贸易摩擦风险。
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