台积电(TSM.US)涨超1.7%,报184.3美元。消息面上,台积电在2nm制程节点上取得了重大突破,将首次引入Gate-all-around FETs晶体管技术。相较于当前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。据悉,台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元,高于之前预期的2.5万美元。相比之下,目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元,而4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间。
【免责声明】本文仅代表作者本人观点,与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。邮箱:news_center@staff.hexun.com
张晓波 10-05 10:33
贺翀 10-03 22:15
刘静 09-26 16:31
郭健东 09-12 22:54
郭健东 09-12 22:54
董萍萍 09-12 08:25
最新评论