电子行业周报：联发科天玑9400横空出世 AMD最强AI芯片闪耀登场

　　上周回顾
　　10 月08 日-10 月11 日当周，申万一级行业均处于下跌态势。其中电子行业下跌11.65%，位列第22 位。估值前三的行业为计算机、国防军工、综合， 电子行业市盈率为49.76。
　　电子行业细分板块比较，10 月08 日-10 月11 日当周，电子行业细分板块均处于下跌态势。其中，分立器件、数字芯片设计、集成电路封测跌幅最小。估值方面，半导体材料、数字芯片设计、模拟芯片设计估值水平位列前三，分立器件、LED 估值排名本周第四、五位。
　　采用台积电第二代3nm 工艺打造的联发科天玑9400 旗舰芯片横空出世
　　联发科近日推出新一代高智能、高性能、高能效、低能耗的旗舰5G 智能体AI 芯片天玑9400。天玑9400 采用台积电第二代3nm 工艺打造，拥有291 亿晶体管，较前一代增加28%，但功耗却同比大降40%。根据IDC 预测，预计 2024 年全球生成式人工智能手机出货量将同比增长363.6%，达到2.342 亿部，出货总量占2024 年整个智能手机市场的19%，预计AI 手机的出货量将在2028 年达到9.12 亿部，2024-2028 年的复合年增长率(CAGR)为78.4%。NPU 方面，天玑9400 集成了性能更强、能效更高的第八代AI 处理器NPU890，其端侧多模态AI 运算性能高达50 Tokens/s。与天玑9300 相比，其大语言模型（LLM）的提示词处理性能实现了80%的提升，Stable Diffusion 的执行性能提升了2 倍，AI模型文本长度提升达8 倍，但功耗同比大幅下降了35%。其率先支持时域张量（Temporat Tensor）硬件指令加速、率先支持端侧高画质高画质DiT（Diffusion Transformer）技术、率先支持端侧混合专家（MoE）模型。CPU 方面，联发科在天玑 9400 上采用了 1 个 Cortex-X925（3.62GHz）超大核、3 个 Cortex-X4（3.3GHz）超大核和4 个Cortex-A720（2.4GHz）大核的新一代“全大核”设计。在5G 性能方面，其新一代 3GPP R17 5G 调制解调器，支持四载波聚合（4CCCA），Sub-6GHz 网络下行传输速率可达7Gbps，支持 5G/4G多制式双卡双通。能把16 种场景辨别准确率提升99.5%，还可以将功耗降低18%的同时，将网速提升30%。
　　我们认为，AI 手机元年已经开启，伴随手机SOC 和存储的进一步升级迭代，AI 手机端侧功能将进一步丰富，早期端侧模型能力可能覆盖场景有限，但随着核心硬件和端侧模型参数的提升，用户或将快速改变与终端的交互模式，AI 时代终将全面开启。
　　AMD 最强大模型芯片面世，谷歌、OpenAI、微软、Meta 等核心生态伙伴现场支持
　　AMD 旗舰AI 芯片AMD Instinct MI325X GPU 首次启用HBM3E高带宽内存，AI 峰值算力达到21PFLOPS，并与去年发布的、同样采用HBM3E 的英伟达H200 GPU 用数据掰手腕：内存容量是H200 的1.8 倍，内存带宽、FP16 和FP8 峰值理论算力都是H200 的1.3 倍。与NVIDIA H200 HGX 相比，新平台在内存容量（1.8 倍）、内存带宽（1.3 倍）和FP16 和FP8 Flops（1.3 倍）上的表现都领先于前者，单GPU 还是在8 GPU 的Meta Llama-2 训练场景，AMD Instinct MI325X 平台的表现都不逊色于前者。在架构表现大幅提升的同时，新一代的Instinct GPU 还使用了先进的3nm 工艺技术构建，搭载高达288 GB 的HBM3E 内存，并支持FP4 和FP6 AI 数据类型，进一步提升了整体的性能表现。AMD 还披露了最新的AI 芯片路线图，采用CDNA 4 架构的MI350 系列明年上市，其中MI355X 的AI 峰值算力达到74PFLOPS，MI400 系列将采用更先进的CDNA 架构。
　　台积电2nm 即将公布，因特尔、三星加入2nm 技术竞赛
　　在今年 12 月于旧金山举行的国际电子设备会议 (IEDM)上，英特尔试图展示重回芯片制造和代工领域的前沿。台积电的研究人员表示，公司将在本届的IEDM 公布专为 AI、移动和高性能计算而设计的N2 制造工艺，在 IEDM 会议上，台积电的研究人员预计将报告称，与 2022 年推出的 N3（标称3nm）工艺相比，N2 的速度可提高 15% 或功耗降低 30%，芯片密度也可提高 15% 或更高。台积电的 G. Yeap 等人撰写的论文 2.1 2nm 平台技术，具有节能纳米片晶体管和互连，与 3DIC 共同优化，适用于 AI、HPC 和移动 SoC 应用，还将展示具有世界纪录密度为每平方毫米 38Mbits 的 SRAM宏。英特尔、三星和台积电正处于在其 2 纳米节点中实施背面供电技术的竞争前沿，旨在增强其在 AI 芯片市场的竞争力。这项创新技术有望通过将供电网络重新定位到硅片背面来提高芯片效率，此举旨在简化电源效率、减少干扰并提高整体性能。英特尔今年在商业化方面处于领先地位，三星电子和台积电紧随其后，准备在 2025 年进行大规模生产，业界对背面供电的变革性影响充满期待。
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　　风险提示
　　半导体制裁加码，晶圆厂扩产不及预期，研发进展不及预期，地缘政治不稳定，推荐公司业绩不及预期等风险。
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