电子行业存储芯片周度跟踪：SK海力士16层48GBHBM3E将于2025年初送样 渠道市场价格小幅下修

　　核心观点
　　NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，铠侠北上K2 工厂2025 年秋天投产BiCS 8。根据DRAMexchange，上周（1104-1108）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.82%至2.82%，平均涨跌幅为-0.18%。其中12 个料号价格持平，3 个料号价格上涨，7 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，铠侠11 月5 日宣布，其岩手县北上市的北上工厂「第2 厂房(K2)」已全面竣工，为了预备K2 投产，自2024 年11 月11 日起，行政、技术部门将陆续搬进临近K2 的新行政大楼，预估K2 将在2025 年秋天投产。
　　DRAM：颗粒价格小幅下跌，威刚对全球生成式AI 和云服务的快速增长持乐观态度。根据DRAMexchange，上周（1104-1108）DRAM18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.50%至3.25%，平均涨跌幅为-0.64%。上周3 个料号呈上涨趋势，14 个料号呈下降趋势，1 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，威刚对全球生成式AI 和云服务的快速增长持乐观态度，这一趋势正在推动高带宽存储器（HBM）和服务器存储产品的市场需求。短期内，威刚对存储行业的供需状况保持积极看法，预计市场将保持稳定。从长远来看，威刚预计随着电子产品搭载的存储容量的显著增加，以及对2025 年AI 个人电脑和AI智能手机领域可能出现的突破性产品的期待，2025 年存储行业有望迎来新的需求高峰。
　　HBM：SK 海力士16 层48GB HBM3E 将于2025 年初送样。根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士继近期HBM3E 12 层宣布量产后，其16 层48GB 样品计划于2025 年初送样，SK 海力士计划扩大客户群，并加强与NVIDIA 等大客户的合作。
　　市场端：渠道市场价格小幅下修。上周（1104-1108）eMMC 价格环比下跌，UFS 价格环比下跌。根据CFM 闪存市场报道，近期消费端市场供需双方虽进入新一轮谈价阶段，但因mobile终端客户因备有一定库存，且供应端部分资源供应溢出，市场看跌情绪加重，本周大容量嵌入式产品延续跌势再度走跌；虽部分应用领域需求有撑但PC 市场整体疲势难改，且客户价格要求低，行业SSD 价格温和小跌；渠道市场因近期需求相对冷清令其价格也小幅下修；另外，服务器DDR5 需求有撑下价格调涨，而服务器DDR4 整体需求依旧偏淡令其价格下跌。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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