核心观点
NAND:NAND 颗粒市场价格小幅波动,群联称NAND 模组需求持续上升。根据DRAMexchange,上周(1014-1018)NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.17%至2.77%,平均涨跌幅为0.20%。其中12 个料号价格持平,6 个料号价格上涨,4 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道,群联表示,2024 年前三季整体NAND 位元数总出货量的年成长率达到30%,创历史同期新高,表明市场对于高容量的NAND 存储模组产品的需求趋势持续上升。
DRAM: 颗粒价格小幅下跌, 三星电子宣布已完成首款24GbGDDR7 DRAM 的开发。根据DRAMexchange,上周(1014-1018)DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.94%至-0.02%,平均涨跌幅为-1.04%。上周0 个料号呈上涨趋势,18 个料号呈下降趋势,0 个料号价格持平。三星电子宣布已完成首款24Gb GDDR7 DRAM 的开发,将用于PC 和游戏机等现有图形DRAM 应用之外的各种领域,以及AI 工作站等需要高性能产品的领域和数据中心。
HBM:DRAM 中HBM 比重逐渐提升。根据科创板日报报道,TrendForce 集邦咨询预估,第四季存储器均价涨幅将大幅缩减,其中,一般型DRAM 涨幅为0%至5%之间,但由于HBM 比重逐渐提高,DRAM 整体平均价格估计上涨8%至13%,较前一季涨幅明显收敛。
市场端:渠道SSD 和内存条窄幅下跌,行业市场需求偏淡。上周(1014-1018)eMMC 价格环比下跌,UFS 价格环比持平。根据CFM闪存市场报道,伴随着双十一购物节与圣诞节相继来临,渠道市场存储需求逐渐回温,成交量上扬有撑,而渠道存储厂商为争抢订单仍在下调产品价格以达成交易,不过整体来看,渠道市场价格下跌空间较为有限,本周渠道SSD 和内存条多数价格窄幅下跌。行业市场总体需求偏淡,成交多为小单,大单则鲜少。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM:受益于算力芯片提振HBM 需求,相关产业链有望迎来加速成长,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等;存储芯片:受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升,产业链有望探底回升。推荐东芯股份,建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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(责任编辑:贺翀 )
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