半导体行业快报：HBM加速迭代叠加美国限制出口 国产自主可控重要性日益凸显

　　投资要点
　　根据《韩国经济新闻》12 月4 日报道，SK 海力士将于25H2 采用台积电3nm 生产HBM4。
　　SK 海力士改采台积电3nm 生产HBM4，HBM4E 将引入混合键合技术根据《韩国经济新闻》12 月4 日报道，SK 海力士将于25H2 以台积电3nm 制程为客户生产定制化的第六代高频宽内存HBM4；最快将于2025 年3 月发布一款采用台积电3nm 制程生产的基础裸片的垂直堆叠HBM4 原型，主要出货的客户为英伟达。三星同样预计在25H2 提供HBM4 样品，批量生产计划在26 财年。
　　产能方面，根据CFM 数据，至2024 年底三星、SK 海力士和美光合计HBM 月产能将达30 万片，其中三星HBM 增产最为激进；预计2025 年全球HBM 市场规模将上看300 亿美元，HBM 将占DRAM 晶圆产能约15%至20%。
　　HBM3E 及之前的HBM 都是采用DRAM 制程的基础裸片，而HBM4 基础裸片将采用台积电3nm 的先进逻辑工艺，以推动性能和能效进一步提升。此外，随着HBM 堆叠层数逐渐增加，存储厂商正积极推动在HBM4 中引入无助焊剂键合技术，以进一步缩小DRAM 堆叠间距；其中，美光动作最为积极，已开始与合作伙伴测试新制程，SK 海力士正在评估无助焊剂键合技术，三星电子也正在密切关注相关技术。根据SK 海力士HBM 封装路线图，其将在计划于2026 年量产的HBM4E 中采用混合键合技术。混合键合技术可最大限度地缩小DRAM 的间隙，且没有微凸块电阻，因此信号传输速度更快，热量管理更为高效。
　　为应对AI 浪潮带来的强劲需求，英伟达已与台积电等供应链合作伙伴提前启动了下一代Rubin 平台的研发工作，原定于2026 年亮相的Rubin 芯片有望提前半年发布，即2025 年下半年面世。台积电计划扩大CoWoS 先进封装产能，以满足Rubin 芯片的预期需求；目标在25Q4 将CoWoS 月产能提升至8 万片。英伟达Rubin GPU 将配备8 个HBM4 芯片，其增强版Rubin Ultra GPU 将集成12 颗HBM4 芯片，预计于2027 年推出。
　　我们认为，AI 强劲需求正推动HBM 市场高速增长，同时HBM 持续升级迭代也不断带来新技术、新工艺的投资机会。
　　美国新增对HBM 的出口管制，HBM 国产自主可控重要性日益凸显2024 年12 月2 日，美国商务部工业和安全局（BIS）修订了《出口管理条例》（EAR），新的出口限制包括限制向中国出口先进HBM，并对24 种半导体制造设备和3 种软件工具进行出口管制，包括美国公司在外国工厂生产的设备。
　　140 家中国实体被增列至出口管制实体清单，中芯国际、武汉新芯、北方华创、拓荆科技、盛美均在该清单上。
　　根据新的3A090.c，IFR 将管制“Memory bandwidth density”大于2GB/s/mm2　　的HBM。当前生产的所有HBM 都超过了此阈值，即对于目前几乎所有现行生产的HBM，均不能出口到中国。TrendForce 表示，国内存储厂商武汉新芯和长鑫存储正处于HBM 制造的早期阶段，其中武汉新芯正在针对HBM 建造月产能3000 片晶圆的12 英寸工厂，长鑫存储则与封测厂通富微电合作开发了HBM 样品，并向潜在的客户展示。
　　我们认为，美国进一步升级对华出口管制凸显HBM 全产业链国产自主可控的重要性，产业链相关的国产厂商迎来前所未有的发展良机。
　　投资建议
　　建议关注HBM 产业链相关标的：1）封测环节：通富微电（先进封装）、长电科技（先进封装）等；2）设备环节：拓荆科技（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科（减薄+CMP）、芯源微（临时键合与解键合）、华卓精科（拟上市，键合设备）等；3）材料环节：华海诚科（环氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森股份（先进封装电镀）、联瑞新材（硅微粉）等。
　　风险提示：行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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