【12 月 18 日,英诺赛科科技股份有限公司正式启动公开招股】英诺赛科拟全球发售 4536.4 万股 H 股,香港发售占约 10%,国际发售占约 90%,另有约 15%超额配股权,发售价最高每股 33.66 港元,每手 100 股,预期 H 股 12 月 30 日上市。氮化镓作为第三代半导体代表性材料,优势众多,下游应用潜力广阔。2023 年氮化镓功率半导体产业开启指数级增长元年,预计到 2028 年,全球市场规模达 501 亿元。英诺赛科拥有全球最大氮化镓功率半导体生产基地,是行业革命领导者和首家量产 8 英寸硅基氮化镓晶圆的 IDM 企业,2021 年至 2023 年收入复合年增长率达 194.8%。以折算氮化镓分立器件收益计,截至 2023 年末,公司市场份额高达 33.7%,排名第一;截至 2024 年 6 月 30 日,公司氮化镓分立器件累计出货量超 8.5 亿颗。此次赴港上市,有望助英诺赛科提升知名度与影响力,深化全球拓展、强化技术迭代,引领氮化镓领域发展。
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张晓波 12-18 10:45

董萍萍 12-12 13:36

王治强 12-11 04:38

董萍萍 12-04 09:32

贺翀 12-02 14:03

张晓波 11-19 09:34
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