存储芯片周度跟踪：西部数据减少NAND供应 存储市场或于Q2复苏

　　核心观点
　　NAND： 西部数据2025 年或将逐步减少NAND 供应。根据DRAMexchange，上周（20250205-0207）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.18%至2.94%，平均涨跌幅为0.18%。其中16 个料号价格持平，4 个料号价格上涨，2 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，对于NAND，西部数据预计收入将环比下降15%左右，预计2025 年逐步减少市场供应。
　　DRAM：铠侠宣布开源AiSAQ 技术，可降低生成式AI 系统中的DRAM 需求。根据DRAMexchange，上周（20250205-0207）DRAM18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.79%至2.29%，平均涨跌幅为0.08%。上周7 个料号呈上涨趋势，11 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，铠侠宣布开源其全新全存储ANNS 产品量化(AiSAQ)技术，这是一种针对SSD 优化的新型“近似最近邻”搜索(ANNS)算法，它为检索增强生成(RAG)提供了可扩展的性能。
　　HBM：三星电子：2025 年HBM bit 供应量将扩大到2024 年两倍。
　　根据CFM 闪存市场报道，三星电子预计第二季度客户需求将从 8 层堆叠过渡到 12 层堆叠。对于16 层堆叠HBM3E，虽然三星电子预计客户目前还不会有任何商业需求，但已生产并送样给主要客户进行技术验证。
　　市场端：移动和PC 客户的库存调整将持续到第一季度，存储市场需求将从2025 年第二季度开始恢复。根据CFM 闪存市场报道，三星电子预计短期内移动和PC 客户的库存调整将持续到第一季度，存储市场需求将从2025 年第二季度开始恢复。对于服务器应用，随着对AI基础设施的投资持续进行，基本需求保持稳定，一旦GPU 供应改善，数据中心项目逐渐实现落地，市场需求将主要围绕高性能、高密度产品得到恢复。存储业务正在减少传统DRAM 和NAND 产品的比例以适应市场需求，并加快向尖端节点的迁移。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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