存储芯片周度跟踪：24Q4NAND／DRAM同比增长 存储现货行情平稳

　　NAND：2024 年四季度全球NAND Flash 市场规模达174.1 亿美元，环比减少8.5%，同比增长42.4%。根据DRAMexchange，上周（20250217-0221）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.78%至1.75%，平均涨跌幅为0.29%。其中10 个料号价格持平，9个料号价格上涨，3 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，因eSSD 采购需求出现部分放缓，再叠加移动和PC 应用市场需求的疲软，令四季度NAND Flash 的ASP 和bit 出货量均环比减少。继三季度仅SK 海力士出现环比下滑后，在四季度所有原厂的NAND Flash收入均环比发生不同程度的下滑。
　　DRAM：2024 年四季度全球DRAM 市场规模293.45 亿美元，环比增长13.5%，同比增长66.1%。根据DRAMexchange，上周（20250217-0221）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.28%至2.36%，平均涨跌幅为-0.07%。上周7 个料号呈上涨趋势，11 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，AI 服务器的热络持续推动对HBM 以及高容量DDR5 的需求，也推动三星和SK 海力士的存储收入创历史新高，然而消费类需求却也出现持续的疲软，导致传统类DRAM 销售收入的下滑。整体来看，2024 年四季度DRAMASP 环比依然保持增长，而整体DRAM bit 出货量发生环比下滑。
　　HBM：三星计划2028 年推出“移动HBM”。根据科创板日报报道，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM 内存的首款移动产品将在2028 年上市。LPWDRAM 通过堆叠LPDDR DRAM，大幅增加I/O 接口，可减少耗电量并提高性能， 采用垂直引线键合的新封装技术， 被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s 以上，较现有的LPDDR5x 提升166%。
　　市场端：存储现货行情趋稳，部分资源供应紧俏，低容量嵌入式价格跟随成本上扬。根据CFM 闪存市场报道，由于部分低容量资源供应相对短缺，成本上扬驱动下令相应的嵌入式产品顺势涨价；渠道市场部分低端资源也出现涨价现象，但受制于需求疲软，渠道SSD 价格难以实现跟涨；行业端个别厂商现杀价动作，市场需求无明显变化。整体来看，本周存储现货市场普遍维持平稳为主。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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