4 月 16 日，复旦团队研制“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度达亚 1 纳秒，创世界最快半导体电荷存储纪录。
【4 月 16 日，复旦大学研究团队取得重大突破！】复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队构建准二维泊松模型，在理论上预测超注入现象。该团队研制出“破晓”皮秒闪存器件，其擦写速度提升至亚 1 纳秒（400 皮秒），相当于每秒可执行 25 亿次操作，成为世界上最快的半导体电荷存储技术。
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