半导体行业事件点评报告：AI算力加码先进封装 设备材料板块催化持续

　　盛合晶微IPO 进入验收程序，三工厂完成主体封顶预计年底竣工。证监会披露平台显示，SJ Semiconductor Corporation（盛合晶微）IPO 辅导状态变更为辅导验收。盛合晶微自2014 年起就致力于12 英寸中段硅片制造，并进一步提供晶圆级先进封装和多芯片集成加工等全流程的先进封装测试服务，并于2024 年5 月推出3 倍光罩尺寸TSV 硅通孔载板技术，标志着其芯片互联先进封装技术迈入亚微米时代，目前已形成了全流程芯粒多芯片集成加工的完整技术体系和量产能力。根据CIC 灼识咨询《全球先进封装行业研究报告》有关2023 年中国大陆地区先进封装行业统计，盛合晶微12英寸中段凸块Bumping 加工产能第一，12 英寸WLCSP 市场占有率第一，独立CP 晶圆测试收入规模第一。截止2024 年其报告发布之日，盛合晶微是大陆唯一规模量产硅基2.5D 芯粒加工的企业。根据江阴发布2025 年4 月消息，总投资84 亿元的盛合晶微三维多芯片集成封装项目正加速推进，目前二工厂已投产，部分设备投入使用并持续扩产中，三工厂完成主体封顶，预计年底竣工，全部投产后可形成凸块工艺加工8 万片/月、三维多芯片集成封装1.6 万片/月的生产能力。
　　长鑫计划2025 年交付HBM3 样品，2026 年全面量产。据韩媒Financial News报道，长鑫存储计划在2025 年底前交付HBM3 样品，并预计从2026 年开始全面量产。Omdia 预计2025 年长鑫存储DRAM 产量将达273 万片，同比增长68%，同时持续迭代技术节点。根据TechInsights 拆解，光威16GBx2 DDR5-6000Mhz 台式机UDIMM 内存由16 颗长鑫存储制造的16Gbit DDR5 芯片组成，存储单元的间距分别为源极29.8nm、字线41.7nm、位线47.9nm，与三星、海力士和美光的D1z 工艺节点水平相当。
　　混合键合与TSV 是3D 封装的核心，HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇。混合键合技术可最大限度地缩小DRAM 的间隙，且没有微凸块电阻，因此信号传输速度更快，热量管理更为高效。根据SK 海力士HBM封装路线图，其将在计划于2026 年量产的HBM4E 中采用混合键合技术。混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP 需求，根据BESI 数据，预计存储领域未来贡献混合键合设备明显增量，保守预计2030 年需求量约350 台，减薄+CMP 亦成为重要一环。当前HBM 方案主要带动固晶机、临时键合与解键合、塑封装备以及TSV 所需的PECVD、电镀、CMP 等设备；材料端则是TSV电镀液、塑封料、抛光材料等。
　　建议关注：
　　1、 设备：北方华创、华海清科、中微公司、芯源微、拓荆科技、骄成超声等；
　　2、 材料：安集科技、华海诚科、艾森股份等；
3、 先进封装：盛合晶微、通富微电、长电科技等。
　　风险提示：行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。
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