电子行业存储芯片周度跟踪：DDR4现货温和回调 三星电子推进HBM3E供应

　　核心观点
　　NAND：铠侠UFS 4.1 开始送样 512GB 和1TB 版本采用BiCS 8NAND。根据DRAMexchange，上周（20250707-0711）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.33%至3.37%，平均涨跌幅为0.51%。其中4 个料号价格持平，13 个料号价格上涨，5 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，铠侠宣布其符合最新UFS Ver. 4.1 规范的嵌入式闪存设备现已出样，提供 256GB、512GB 和1TB 容量选择，采用小型BGA 封装。其中，512GB 和1TB 版本采用最新的第八代BiCS FLASH 3D 闪存。
　　DRAM：Trendforce 称DDR4 现货价格大幅上涨后出现温和回调。根据DRAMexchange，上周（20250707-0711）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.96%至5.55%，平均涨跌幅为0.20%。上周7个料号呈上涨趋势，10 个料号呈下降趋势，1 个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据Trendforce 集邦咨询的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，虽然DDR4 现货价格出现间歇性上涨，但这主要反映的是此前涨幅过快的回调，而非供应过剩。NAND 闪存方面，消费市场需求已显露出疲态，买家目前正密切关注美国关税措施可能对下一阶段造成的影响。
　　HBM：三星电子与博通推进12 层HBM3E 供应，预计供应量达10 亿Gb。根据科创板日报报道，三星电子近期已完成与博通就12 层HBM3E 产品的质量测试，正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10 亿Gb 级别左右，量产时间预计最早从2025 年下半年延续至2026 年。
　　市场端：CFM 更新DDR4 RDIMM 7 月价格，服务器市场渐趋恢复理性下仅零星急单成交。根据CFM 闪存市场报道，近段时间来，服务器DDR4 RDIMM 现货价格连续快速拉涨后，较2025 年一季度低点呈翻倍式增长；然而，高价DDR4 RDIMM 已引发服务器终端客户抵触心理日渐强烈，除零星急单外，服务器终端客户普遍不愿高位”接盘“，服务器现货市场整体交易氛围趋于冷清。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

【广告】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com