电子行业：存储涨价情绪持续升温 持续看好国产存储产业链

　　NAND 存储储涨价情绪持续升温。此前闪迪宣布涨价，上游涨价消息带动行业和渠道市场迅速升温，根据CFM 闪存市场数据，上周不同规格Flash wafer 价格上涨1.82%-6.25%不等；SSD 渠道市场和行业市场价格均全面上涨，其中SSD 256GB（行业市场）价格周涨幅最高，达8.62%。我们认为供应端对部分NAND 资源实施涨价策略，显著提升了行业客户的提货紧迫性，考虑到下半年服务器NAND 市场备货需求升温，预计Q4 企业级存储价格将继续呈现上涨趋势。
DRAM 市场或迎来全面涨价行情。近日美光决定暂停对DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X 的报价，业界传美光或对渠道存储产品大幅度调涨20%-30%。随着供需天平逐渐向卖方市场倾斜，DDR4、LPDDR4X 价格自二季度起开启涨价潮，并有望延续到明年上半年。与此同时，受HBM 产能挤占叠加新旧制程切换影响，下半年DDR5、LPDDR5X 供应趋于紧张，DRAM市场迎来全面涨价行情。
　　市场普遍担心DRAM 涨价行情持续性问题，我们认为，AI 带动的需求持续性一直是本轮DRAM 涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮DRAM 涨价行情具有较强持续性。
三星 12 层堆叠HBM3E 通过英伟达认证，展望HBM4 原厂竞争或加剧。据韩国媒体本周报道，三星 12 层堆叠HBM3E 产品已成功通过 英伟达认证，正式跻身其HBM 供应链体系。三星核心目标已瞄准下一代 HBM4 技术，据官方披露，依托1cDRAM 技术，结合4nm 逻辑芯片工艺，公司已成功研发出数据传输速率达 11Gbps的 HBM4 产品，成为全球首个实现这一指标的厂商。TrendForce 预计SK 海力士仍然会在HBM4 供应初始量产阶段保持其最大供应商的位置。据TrendForce 报道，考虑到Instinct MI450 及“Helios”带来的威胁，英伟达最近向Vera Rubin 零部件供应商提出新的要求，希望尽快将HBM4 的速度从8Gb/s 提高到10Gb/s。我们认为， HBM4 时代，三星有望与 SK 海力士、美光实现 “同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。随着原厂加大投入到HBM 竞争并减少利基DRAM产能，国内利基DRAM Tier2 供应商有望获得更大市场空间。
存储行情景气度持续，国内先进存储产能持续扩充，AI 服务器和AI 终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，存储产业链相关标的： 兆易创新(603986，)、普冉股份(688766，未评级)、德明利(001309，未评级)、佰维存储(688525，未评级)、北京君正(300223，)、朗科科技(300042，未评级)、东芯股份(688110，未评级)、江波龙(301308，未评级)、恒烁股份(688416，未评级)、万润科技(002654，未评级)、深科技(000021，未评级)、同有科技(300302，未评级)、聚辰股份(688123，未评级)、联芸科技(688449，未评级)等。
　　风险提示
下游需求增长不及预期；原厂退出进展不及预期。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

【广告】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com