复旦大学团队：二维闪存技术良率达98%，突破8纳米沟道极限

【复旦大学团队突破性研发超快闪存技术，良率高达98%】 复旦大学周鹏-刘春森团队开发出一种超工程技术，实现了规模化二维闪存中的原子级平整度异质集成。该技术结合高精度表征技术，显示出集成工艺的显著优势，超越国际水平。通过严格的测试，团队证实了在1Kb存储规模中，二维新机制闪存以纳秒级非易失编程速度运行，良率高达98%，远超国际半导体技术路线图对闪存制造的良率要求。此外，研究团队还研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合超快存储叠层电场设计理论，制造出沟道长度仅为8纳米的超快闪存器件，这是当前国际最短沟道闪存器件，并突破了硅基闪存的物理尺寸极限。这一超小尺寸器件在原子级薄层沟道支持下，展现出20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能，预计将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。