核心观点
NAND:CFM 称256Gb 及以下容量NAND Wafer 产出缩减。根据DRAMexchange,上周(20250714-0718)NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.43%至2.36%,平均涨跌幅为0.36%。其中11 个料号价格持平,9 个料号价格上涨,2 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道,随着存储原厂NAND Flash 技术不断向更高密度、更大存储容量的TLC/QLC 加速迁移,256Gb 及以下容量的NAND 产出同步大幅收缩,部分产品已逐步进入停产状态。在无其他替代方案情况下,未来将倒逼适用于低容量嵌入式产品的相关应用终端升级存储配置,以适应供应端的变化。
DRAM:楷登电子称业内首个LPDDR6/5X 内存IP 系统解决方案完成流片。根据DRAMexchange,上周(20250714-0718)DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.82%至3.51%,平均涨跌幅为0.60%。上周13 个料号呈上涨趋势,5 个料号呈下降趋势,0 个料号价格持平。根据科创板日报报道,楷登电子(Cadence)宣布,业内首个LPDDR6/5X 内存IP 系统解决方案完成流片。据介绍,该解决方案已经过优化,运行速率高达14.4Gbps,比上一代LPDDR DRAM 快50%;经过扩展之后,AI 基础架构可以适应新一代AI LLM、代理AI及其他垂直领域计算密集型工作负载对于内存带宽和容量的需求。
HBM:TrendForce 称英伟达H20 出口解禁助力需求释放,带动HBM 需求同步增加。根据科创板日报报道,TrendForce 集邦咨询表示,美国有望允许NVIDIA(英伟达)恢复对中国市场销售H20GPU,政策转折将有助带动当地AI 与云端业者的需求回补,预期H20 将重新成为该市场高端AI 芯片主力,带动HBM 需求同步增加。
市场端:NAND Wafer 现货行情多数走扬,上周存储成品端整体以持平为主。根据CFM 闪存市场报道,近期存储现货市场逐渐回归冷静,多数传统消费类DRAM 成品高位横盘整理;同时,时值三季度上旬,行业SSD、嵌入式eMMC 等市场采购询价积极性普遍不高。
整体上看,本周存储现货成品端基本以持稳的基调为主。供应端上,原厂普遍对于现货市场NAND 资源调涨态度坚决,带动部分主流NAND 资源现货价格稳中有涨。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM:受益于算力芯片提振HBM 需求,相关产业链有望迎来加速成长,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等;存储芯片:受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升,产业链有望探底回升。推荐东芯股份,建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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(责任编辑:贺翀 )
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