8月25日,SK海力士透露已开发并量产321层2Tb QLC 1NAND闪存,明年上半年将进军AI数据中心市场。
【SK海力士开发并量产321层2Tb QLC1 NAND闪存产品,明年进军AI数据中心市场】8月25日消息,SK海力士透露,已开发出321层2TbQLC1 NAND闪存产品,且已开启量产。该产品计划于明年上半年正式打入AI数据中心市场。
本文由 AI 算法生成,仅作参考,不涉投资建议,使用风险自担
【免责声明】本文仅代表作者本人观点,与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。邮箱:news_center@staff.hexun.com
最新评论