存储芯片行业周度跟踪：现货资源全面供应趋紧 存储价格集体上涨

　　核心观点
　　NAND：TrendForce 称NAND Flash 供应商加速转进大容量NearlineSSD。根据DRAMexchange，上周（20251013-1017）NAND 颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.98%至6.67%，平均涨跌幅为3.59%。其中0 个料号价格持平，22 个料号价格上涨，0 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，根据TrendForce 集邦咨询调查，由于HDD 市场正面临巨大供应缺口，激励NAND Flash 业者加速技术转进，投入122TB、甚至245TB 等超大容量Nearline（近线） SSD 的生产，原先对未来需求不确定的状况获得缓解。
　　DRAM：华邦电称25Q3 营收创12 季以来高峰，看好25Q4 DRAM涨幅高于Q3。根据DRAMexchange，上周（20251013-1017）DRAM18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为2.43%至40.56%，平均涨跌幅为17.13%。上周18 个料号呈上涨趋势，0 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据科创板日报报道，存储器大厂华邦电2025 年9 月合并营收79.20 亿新台币，环比增长12.94%，同比增长9.52%；2025年第三季合并营收217.71 亿新台币，环比增长3.58%，同比增长2.15%，达12 季以来高峰。受惠利基型DRAM 价格上扬与产品组合优化，第三季营运动能明显回升。
　　HBM：SEMI 称2025 第二季度全球半导体设备投资额达330.7 亿美元，增长动力来自先进逻辑工艺和高带宽存储器（HBM）需求增加。根据科创板日报报道，SEMI 数据显示，2025 年第二季度全球半导体设备市场规模同比增长24%，达330.7 亿美元，比上一季度增长3%。SEMI 分析称，增长动力来自先进逻辑工艺和高带宽存储器（HBM）需求增加，以及对亚洲地区出货量的增加。
　　市场端：现货NAND、DRAM 资源全面供应趋紧，上周存储价格集体强势上涨。根据CFM 闪存市场报道，在原厂供应干预下，现货贸易端包括NAND 和DRAM 在内的所有资源价格快速上涨。在上游资源日益走高且供应收紧的影响下，相对应的产品生产成本大幅走高，服务器、手机、PC 等各应用端的存储成品全面掀起涨价潮。目前供应端的态度仍然是影响整个存储市场的主要因素，若未来资源端仍持续处于趋紧状态，供需天平加速向卖方倾斜，存储厂商控货惜售的情绪将更加强烈，那么后续存储成品端的价格也将延续上涨趋势。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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