电子行业研究周报:受益周期上行 国产存储龙头经营提升明显

2026-01-08 08:10:01 和讯  申港证券王伟
  每周一谈:受益周期上行 国产存储龙头经营提升明显长鑫科技发布招股书,受益于周期上行,毛利率和盈利改善明显。根据招股书,公司拟募集资金295 亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。公司2025Q1-Q3 实现营收320.84 亿元,归母净利润-52.80 亿元,扣非归母净利润-10.62 亿元,公司预估全年营收在550-580 亿元,归母净利润-16 至-6 亿元,扣非归母净利润28-30 亿元。2025 年Q3,在DRAM 产品市场价格上涨、公司产销规模持续提升等因素的带动下,公司营业收入同比增长148.80%,综合毛利率上升至 35.00%。
  2025 年,随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化,以及2025 年下半年以来 DRAM 产品价格的快速上涨,公司预计全年营收同比大幅增加,归母净利润亏损金额同比大幅收窄。
  公司逐步进入主要厂商阵营,基于Omdia 数据测算,按2025Q2 DRAM 销售额统计,长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%,并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。根据Yole 数据,2024 年中国DRAM 市场规模约为250 亿美元,占全球 DRAM 市场规模的比重超过四分之一。作为全球主要的 DRAM 需求市场,中国在该领域长期高度依赖进口,DRAM 本土厂商仍有广阔的市场空间。
  DRAM 景气上行周期延续。根据TrendForce 集邦咨询最新调查,2026Q1 由于DRAM 原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM 应用,以满足AI Server需求,导致其他市场供给严重紧缩,预估整体一般型DRAM 合约价将季增55-60%,增幅较2025Q4 加大。
  建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动,以及HBM 对混合键合等封装技术和高端产能的带动,建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。
  投资策略:建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动,以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动,建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。
  风险提示:贸易摩擦加剧,需求复苏不及预期,产能扩张不及预期,竞争加剧
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(责任编辑:刘畅 )

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