CPU专题报告一：配套内存模组向MRDIMM发展 看好MRCD芯片与MDB芯片环节

　　核心观点
　　服务器级CPU 配套内存模组向MRDIMM 发展：服务器中CPU 与内存模组是两大核心部件，内存模组主要作为CPU 与硬盘的数据中转站，用于临时存储数据。目前服务器中三种主流的内存模组技术分别为UDIMM、RDIMM、LRDIMM，其中UDIMM 为日常计算提供高性价方案，RDIMM 为服务器与工作站提供更高稳定性和内存容量，LRDIMM 则是企业环境中高性能计算与内存密集型任务的首选；MRDIMM 为新型内存模组架构，适用于高性能计算和人工智能等数据密集型应用，相较于标准DDR5 RDIMM，第一子代MRDIMM 可达到8800MT/s 的数据传输速率，峰值带宽提高近40%，缓解了现代处理器核心数量提升带来的每核心内存带宽下降问题，且正在定义的第三子代MRDIMM 支持的速率有望实现14000MT/s。
　　MRDIMM 核心增量为MRCD 和MDB 芯片，MRDIMM 仍有较大渗透空间：在DDR5 世代，MRDIMM 内存条采用“1+10”架构，即配置1颗寄存时钟驱动器MRCD 以及10 颗数据缓冲器MDB，为核心增量环节。
　　MRDIMM 已适配英特尔第六代CPU，同时，内存厂商美光、SK 海力士、威刚均已推出MRDIMM 的新颖产品，仍有较大渗透空间。
　　2030 年MRCD 和MDB 需求量有望高增：我们假设2030 年MRDIMM在悲观、中性、乐观假设下的渗透率分别为30%/50%/65%，同时考虑到MRDIMM 内存条配置1 个MRCD 以及10 个MDB，在悲观、中性、乐观假设下，MRCD 的需求量有望分别为2.74/4.56/5.93 亿个，MDB 的需求量有望分别为27.36/45.60/59.28 亿个。
　　投资建议：我们认为随着英特尔第六代CPU、MRDIMM 技术持续渗透，有望持续拉动MRCD 和MDB 的需求量。建议关注：澜起科技（MRCD/MDB芯片）、聚辰股份（SPD 产品可配套DDR5 内存模组）。
　　风险提示：MRDIMM 技术渗透不及预期；服务器需求不及预期；MRDIMM技术创新不及预期
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

【广告】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com