计算机行业周报：SIC有望进入产业放量期

　　CoWoS 迈入大尺寸、高HBM、高热流密度新阶段。
　　TSMC 于2025 年4 月北美技术论坛明确下一代CoWoS 演进方向，确立大尺寸、高HBM 堆叠、高热流密度为先进封装核心主轴。公司规划2026 年推出5.5 倍光罩尺寸过渡版本，2027 年实现9.5 倍光罩尺寸CoWoS 规模化量产，单封装有效面积接近8,000mm，可支持4 颗3D 堆叠芯片系统、12 层及以上HBM 与多颗逻辑芯片高密度集成，精准匹配AI 大模型对内存容量与互联带宽的指数级需求。同期推出的SoWX 晶圆级系统集成方案，可实现40 倍于当前CoWoS 的计算能力，计划2027 年同步量产。该路线与NVIDIA 下一代AI 芯片规划高度印证，RubinUltra 等产品采用CoWoSL 封装与N3P 工艺，印证大尺寸、高带宽、高功耗密度成为未来2–3 年高端封装核心竞争维度，先进封装已从配套环节升级为决定AI 算力上限的关键变量。
　　 CoWoS 瓶颈转向热管理与翘曲控制，热机械耦合成量产核心制约。
　　伴随CoWoS 向超大尺寸迭代，行业核心矛盾由产能约束转向热管理与翘曲控制。TSMC 研发的110×110mm
　　CoWoSR 方案可集成4 颗SoC+12 颗HBM，集成度与算力量级跃升，但ECTC2025 明确指出翘曲控制已成为紧迫挑战。超大尺寸封装下，芯片、中介层与基板间热膨胀系数失配加剧，回流焊与高低温循环易引发剧烈翘曲、开路、锡球破裂、层间分层等可靠性问题。高端AI 封装具备高集成特性，单颗HBM 或逻辑芯片损坏即可导致整颗报废，良率波动带来显著成本损失，热阻控制、翘曲抑制、组装良率成为规模化量产的关键卡点。行业竞争逻辑随之切换，从性能指标比拼转向系统级解决方案竞争，具备低热阻材料、低翘曲基板、高精度组装装备与应力仿真能力的环节有望深度受益。
　　 SiC 材料优势突出，以热管理非核心层切入破解先进封装瓶颈。
　　SiC 凭借高热导率、高刚性、CTE 与硅芯片高度匹配的特性，成为破解CoWoS 热机械双重瓶颈的关键材料。
　　4HSiC 热导率达370490W/mK，远高于传统硅中介层与有机RDL 基板，同时具备高杨氏模量、低热膨胀系数与高温稳定性，可在芯片中介层基板之间构建低热阻、高刚性、应力适配的结构。在数千瓦级功耗、局部热点超150℃的应用场景中，SiC 可快速均化热量、抑制翘曲形变、提升装配良率与长期可靠性。我们判断认为，SiC 有望以热扩散层、热承载层、结构支撑层渐进导入CoWoS，充分发挥材料优势并降低工艺适配难度。
　　相关标的
　　 SiC 衬底及设备标的：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、扬杰科技、华润微、三安光电等。
　　风险提示
　　 SiC 导入先进封装进度不及预期的风险；SiC 材料成本偏高、规模化应用受限的风险；先进封装技术路线变更风险；SiC 在封装环节良率与可靠性验证不及预期的风险。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

【广告】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com