英伟达GTC深度洞察(六)：HBM竞争白热化 三大存储厂商齐发力

　　行业近况
　　SK海力士和三星电子在英伟达GTC上展出了第五代HBM（高带宽存储），HBM3E-12Hi实物；美光公布FY2Q2024 业绩，超出此前公司预告，提前实现扭亏；公司在业绩会上表示2024 年的HBM产能已售罄。
　　评论
　　HBM在生成式AI驱动下快速增长。生成式AI大模型参数及训练数据量的增长对显存容量有更高的要求，由于普通GDDR的带宽限制，HBM已成为英伟达主要显存方案。通过堆叠的方式，HBM的I/O数、位宽显著提升，还具有更低功耗、更小外形等优势。HBM的应用显著缓解了“内存墙”的问题。根据SK海力士估算，2023 年至2032 年的10 年间，生成式AI的市场规模CAGR增速将达到27%，由此带动HBM的需求量增加，HBM的需求在2022 至2025 年之间的CAGR增速将达到109%。
　　SK海力士、三星电子、美光科技三大家竞争进入白热化，各自发力HBM3E产品。在英伟达GTC期间，三大家均展出了各自的最新HBM3E产品，在堆叠层数、单颗cube容量、带宽上逐步对齐。SK海力士HBM3E在芯片密度、IO速率、带宽、最大容量方面有明显提升。HBM3E仍然采用了8 层和12 层的两种堆叠方式，其芯片密度达到了24Gb，IO速率可达到9.2+Gbs，每个cube的最大带宽可达到约1177GB/s，单颗cube最大容量可达36GB，同时在功耗上保持不变，VDD和VPP维持在1.1V和1.8V，VDDQ/VDDQL分别为1.1V/0.4V。
　　HBM堆叠技术路径不一，MR（Mass reflow）、TC（Themocompression）、HB（Hybrid bonding）仍将并行发展。在堆叠方案上，SK海力士公布HB3E仍然将使用MR-MUF的方案；三星电子的HBM3E 12H采用热压非导电薄膜（TC NCF）技术。根据ZDNET，JEDEC（国际半导体标准化组织）可能放宽第六代HBM4 的堆叠高度，在对应厚度上MR和TC方案仍可以继续使用，虽然HB方案可提供更窄的pitch间距和更薄的高度，考虑到其普及率不高，以目前较高的价格，大规模应用可能有所推迟。
　　估值与建议
　　我们维持覆盖公司评级、盈利预测和目标价不变。建议关注存储板块江波龙、佰维存储（未覆盖）、德明利（未覆盖），设备板块精智达（未覆盖），材料板块雅克科技、鼎龙股份。
　　风险
　　算力芯片迭代不及预期；HBM产能需求不及预期；HBM技术迭代不及预期。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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