电子行业深度研究：原厂倾力扩产 HBM会过剩吗？

　　投资要点：
　　近片存储成就高带宽，有限空间依赖堆叠封装。近存计算的HBM 需要通过2.5D/3D 封装纵向延伸，通过TSV 将多个DDR 颗粒、逻辑Die连接。单颗HBM 颗粒的位宽已达1024-bit，为GDDR5 的32 倍。以H100 为例，其内部拥有6 个HBM 堆栈，单堆栈为8 个堆叠，一个堆叠为2GB。总容量为96GB（6*8*2），考虑内存损耗，表观容量为80GB。HBM 的价格约为DDR5 的五倍，对应每GB 约15 美元，因此一张H100 中HBM 价值量约1500 美元。
　　供给测算：产能持续紧缺，24/25 年有望进入放量期。三星/海力士份额领先，合计份额约为95%。美光则跳过HBM3，直接专注开发HBM3E 产品。三大原厂均在加码提升HBM 产能，竭力弥补产能空缺。三大原厂均表示，公司24 年的 HBM 供应能力已全部耗尽，而25 年产能亦基本售罄。（1）海力士预计24 年HBM 产能同比增加一倍以上，预计其30 年HBM 出货量将达到每年1 亿颗。（2）三星预计公司24/25 年产能同比增加2.9/2 倍，28 年出货年比2023 年高23.1倍。（3）美光预计24 财年有望从HBM 获得数亿美元的收入，HBM份额将在2025 年的某个时点与公司的整体DRAM 份额相等（约20%）。24 年末原厂HBM 产能有望增至250K/m，占DRAM 总产能（约1800K/m）的14%。根据我们测算，我们认为HBM 供给产能将在24、25 年进入扩产时期，25 年供给量有望达23.7 亿GB，整体市场规模有望达到355 亿美元，一定程度缓解HBM 供给紧张状况。
　　需求测算：多维因素叠加，HBM 产能制约GPU 出货。从需求上看，HBM 在代次、容量、带宽上均持续提升。英伟达A100 芯片采用HBM2e，其显存带宽与显存容量分别为2039GB/s、80GB，而迭代至H200，显存带宽与显存容量均提升至4915 GB/s、141GB。对比英伟达H100 与H200，在算力能力相同的情况下，优化HBM 能够使得H200 在GPT-3 的推理性能为H100 的1.6 倍，其训练性能亦较H100提升约10%。英伟达H100 和A100 在23Q4 出货预计超50 万张。24年训练卡出货有望达300-400 万张，GPU 出货带动HBM 成长。HBM未来的三个迭代趋势亦共同驱动HBM量价齐升：（1）HBM3E 成高端GPU 标配。（2）HBM3E 从8 层逐渐升级至12 层。（3）单GPU 中HBM 容量提升。根据我们的测算，我们认为HBM 需求量在24、25年亦将翻倍增长，25 年需求量有望达20.8 亿GB，整体市场规模有望达311 亿美元。考虑HBM 与GPU 出货的时间差与GPU 厂商的HBM库存建立，我们认为即使原厂大规模扩产，HBM 在未来仍将长期处于供不应求态势。也正基于此，今年Q2 原厂已针对25 年HBM 进行议价，价格初步调涨5~10%。
　　行业重点公司：
　　HBM 设备建议关注：赛腾股份、精智达、芯源微、拓荆科技等HBM 材料建议关注：华海诚科、联瑞新材、强力新材、飞凯材料等
　　HBM 封测建议关注：通富微电、长电科技、深科技等海力士分销建议关注：香农芯创等
　　风险提示
　　AI需求不及预期风险、技术迭代不及预期、行业竞争加剧。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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