电子元器件行业半导体新一轮景气周期推荐系列之八：海力士业绩大幅向上 持续看好AI芯片和利基存储

本报告导读：
海力士业绩创新高强化存储周期趋势和HBM 的需求趋势，看好国产AI算力的自主可控、HBM 设备公司的需求拉动以及利基存储的持续涨价。
投资要点：
海力士Q2收 入创新高，营运利润大幅改善，主要源于存储涨价和AI 需求（HBM、DDR5、企业级SSD 等）的拉动。1）24Q2：收入16.42 万亿韩元，环比+32%，同比+125%，营业利润5.47 万亿韩元，自2018 年以来重回5 万亿韩元水平，主要原因为ASP 提高、高附加值产品组合的增加。下游需求方面，AI 服务器需求强劲，HBM 收入环比+80%，同比+250%，eSSD 销售额环比+50%；传统应用需求有望随着AI 手机/AI PC 逐渐复苏。2）Q3 指引：DRAM：出货量环比低个位数增长，增加HBM 产品的出货量； NAND：出货量环比中个位数减少，eSSD 销量增加,其他终端需求短期疲软。3）资本开支：由于HBM 需求超预期，24 年资本开支高于预期，预计新增HBM产能25 年底释放。
存储上行趋势不变，合约价持续走高，现货价格调整已进入磨底阶段，持续看好HBM 和AI 端侧需求放量带来的上行周期，以及SLCNand 和Nor 等利基型的持续补涨。存储价格出现现货合约倒挂，主要原因系下游传统消费终端的短期供需调整与AI 需求预期提升的矛盾。现货方面：根据闪存市场，由于渠道市场去库存进程较慢，存储现货行情处于小幅震荡调整的磨底阶段。合约方面：自23 年10月SK 海力士官宣DRAM、NAND Flash 芯片合约价上调10%-20%后，三星电子宣布2024Q3 对其DRAM 和NAND Flash 产品实施价格调涨15%-20%，为其2024 年第三次宣布涨价。23 年末背后涨价一定程度为前期存储公司主动减产控价的结果，而24 年的合约价格上涨主要原因为AI 为存储细分市场带来的需求增长。
HBM 供需缺口预计持续放大， 海力士将保持领先地位。根据TrendForce，24 年HBM 需求位年增长率近200%，25 年有望再翻倍。竞争格局方面，海力士保持领先地位，占超50%的市场份额，三星约占40%，美光市占率不足10%。就现阶段主流产品HBM3 产品而言，海力士份额超过9 成。海力士HBM 进展方面，HBM3E 12-Hi 预计Q3 量产，Q4 向客户供货，预计2025 上半年HBM3E 12-Hi供应量将超过8-Hi。HBM4 12Hi 预计25 年发货，HBM4 16-Hi 预计26 年推出。值得一提的是，由于芯片尺寸损失和所需洁净室水平限制产能增长，预计未来供应商扩大产能供应短缺的局面依旧存在。
海力士业绩创新高强化存储周期趋势和HBM 的需求趋势，看好国产AI 算力的自主可控、HBM 设备公司的产业发展以及利基存储的持续涨价。推荐：1）AI 芯片：寒武纪、海光信息；2）存储涨价：
兆易创新、普冉股份、东芯股份；相关受益标的：盛美上海。
风险提示。下游需求复苏不及预期；产品进度不及预期。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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