【复旦团队研发超快闪存集成工艺】复旦大学周鹏-刘春森团队此前研究显示，二维半导体结构能将速度提升超千倍，达成纳秒级超快存储闪存技术。但规模集成与实际应用面临巨大挑战。该团队研发出自对准工艺，结合创新的叠层电场设计理论，实现了沟道长度 8 纳米的超快闪存器件，这是当前国际最短沟道闪存器件，突破了硅基闪存物理尺寸极限。在原子级薄层沟道支持下，此超小尺寸器件具有 20 纳秒超快编程、10 年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能，将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。
张晓波 08-13 13:12
王治强 08-13 13:03
王治强 08-13 13:12
董萍萍 08-09 07:33
郭健东 08-08 15:03
董萍萍 07-23 09:21
![乙级测绘资质证书[乙测资字11513208]](https://img.hexun.com/chzzzs.jpg){kind=link}
最新评论