电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子提升NAND堆叠层数 存储现货行情分化

NAND：三星计划到 2030 年实现 1000 层 NAND 并推出 400 层晶圆键合技术。根据DRAMexchange，上周（20250224-0228）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至3.45%，平均涨跌幅为0.49%。其中11 个料号价格持平，11 个料号价格上涨，0 个料号价格下跌。三星电子在国际固态电路会议（ISSCC）上展示了其晶圆键合、低温蚀刻和钼应用等技术。这些技术将从 400 层的 NAND 闪存技术开始应用，可用于在 NAND 区域实现 1000 多层堆叠。
DRAM：TrendForce 称2024 年四季度 DRAM 内存产业营收 280 亿美元，环比增长 9.9%。根据DRAMexchange， 上周（20250224-0228）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.16%至2.47%，平均涨跌幅为0.20%。上周8 个料号呈上涨趋势，10 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。TrendForce 集邦咨询表示，2024 年四季度全球 DRAM 内存产业实现 280 亿美元营收，环比上升 9.9%，较一年前的行业低谷期则录得 63.8% 增长。
HBM：SK 海力士韩国龙仁半导体集群一期晶圆厂动工，预计2027年竣工。SK 海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027 年5 月竣工，工厂建成后将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM 存储芯片生产基地。
市场端：存储现货行情分化，渠道SSD 价格多数上涨而UFS 普遍调降。根据CFM 闪存市场报道，存储现货行情结构性分化明显。渠道市场因低价货源价格止跌反涨，客户备货积极性较高，本周渠道SSD价格多数小幅上涨；嵌入式市场近期受部分资源价格小跌且供应较为充裕，客户压价明显，令高容量UFS 价格有所下滑，uMCP 跟随UFS价格小幅调降；而行业市场整体无太大变化，基本保持稳定。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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