电子行业存储芯片周度跟踪：LPDDR4X现货上涨 三星或将供HBM4样品

　　核心观点
　　NAND：美光推出耐辐射256Gb SLC NAND。根据DRAMexchange，上周（20250721-0725）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至4.23%，平均涨跌幅为1.23%。其中3个料号价格持平，19 个料号价格上涨，0 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，美光宣布推出业界最高密度、耐辐射的SLC NAND 产品。该产品芯片容量达256Gb，是其涵盖宇航级NAND、NOR 和DRAM 解决方案的产品组合中的首款产品，现已上市。
　　DRAM：TrendForce 称韩国内存制造商引发价格大幅上涨 DDR4 跌势放缓。根据DRAMexchange，上周（20250721-0725）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.18%至3.93%，平均涨跌幅为0.57%。上周12 个料号呈上涨趋势，6 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，DDR4方面，由于两大韩系供应商对消费级DRAM 芯片实施月度大幅涨价，此前价格下跌的势头有所缓和。
　　HBM：三星或将在7 月向AMD、英伟达等提供HBM4 样品。根据科创板日报报道，三星已准备在7 月底前向AMD 和英伟达等客户提供HBM4 样品。三星计划应用10 纳米级第六代（1c）DRAM 工艺，开发更精密、良率更高的HBM4。后续三星和SK 海力士都计划在2025 年下半年正式量产HBM4，并从2026 年起全面展开竞争。
　　市场端：现货LPDDR4X 成品出货压力凸显，上周LPDDR4X 现货价格出现较大幅度上涨。根据CFM闪存市场报道，伴随着LPDDR4X供应压力逐渐增大，存储厂商在优先保障主力客户供应之余，即便部分Tier2 及其他大众市场客户欲以更高的价格进行拉货，仍难以有效满足其采购需求。近期存储厂商普遍延续涨价策略，LPDDR4X 产品现货价格出现较大幅度的上涨。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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