存储芯片周度跟踪：LPDDR4X现货继续走强 三星称HBM3E供需变化

　　核心观点
　　NAND：旺宏电子称不出售MLC NAND，以eMMC 形式出货。根据DRAMexchange，上周（20250728-0801）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至3.23%，平均涨跌幅为0.67%。其中7个料号价格持平，15个料号价格上涨，0个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，台湾地区存储厂商旺宏电子表示，不会直接以MLCNAND 颗粒应对市场，而是以eMMC 形式出货，相关产品与搭配的控制器均已准备就绪。旺宏电子称，目前市场真正短缺的并非MLCNAND 芯片本身，而是eMMC 模组。
　　DRAM：TrendForce 称韩国内存制造商引发价格大幅上涨 DDR4 跌势放缓。根据DRAMexchange，上周（20250728-0801）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.86%至3.81%，平均涨跌幅为-0.18%。上周6 个料号呈上涨趋势，12 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，DDR4方面，由于两大韩系供应商对消费级DRAM 芯片实施月度大幅涨价，此前价格下跌的势头有所缓和。
　　HBM：三星电子称HBM3E 供需将发生变化，未来与传统DRAM 的利润率差距将大幅缩小。根据CFM 闪存市场报道，三星表示，考虑到2025 年下半年传统DRAM 的价格上涨，认为未来HBM3E 与传统DRAM 之间的利润率差距将大幅缩小。从盈利能力优化的角度来看，短期内均衡的产品组合策略可能变得更加必要。考虑到HBM 在AI 领域的中长期增长潜力及其市场重要性，三星将继续专注于确保HBM3E 的需求，同时加强与客户的合作，以实现具有竞争力的HBM4 的商业化。2025 年第二季度，三星电子HBM 销售额按bit 计算环比增长约30%，其中，HBM3E 在HBM 总销量中所占比例扩大至 80% 以上。
　　市场端：LPDDR4X 现货价格继续走强巩固上行通道。根据CFM 闪存市场报道，随着上游资源供应紧张和PCB 基板缺货不断冲击LPDDR4X 供应链，现货市场LPDDR4X 供应紧缺持续加剧，其现货价格上涨支撑力度仍然较为强劲，继续维持上行通道。
投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期
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