存储芯片周度跟踪：DDR4成交降温 闪迪联手SK海力士推进HBF标准

　　核心观点
　　NAND：铠侠预计2025 年NAND 市场bit 增长率将在10%以内。根据DRAMexchange，上周（20250804-0808）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.71%至1.18%，平均涨跌幅为0.32%。其中8 个料号价格持平，13 个料号价格上涨，1 个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，铠侠预计2025年NAND市场bit增长率将在10%以内。目前，智能手机和PC 客户的库存水平已恢复正常，手机厂商新机型的发布、PC 产品更新周期和支持AI 的PC 进一步普及、数据中心和企业对AI 的强劲投资都将推动NAND 需求增长。
　　DRAM：CFM 称Q3 服务器DDR4 成交显著降温，制程切换致DDR5内存价格持续上扬。根据DRAMexchange，上周（20250804-0808）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.50%至3.37%，平均涨跌幅为0.29%。上周11 个料号呈上涨趋势，7 个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，自7 月中旬以来，各大原厂相继给服务器客户发布三季度报价，平均涨幅个位数百分点。尽管英伟达H20 供应问题尚无定论，部分客户削减订单后仍无确切加单动作，但是展望下半年，由于部分互联网大厂加单96GB 及128GB 高容量DDR5 产品，加上原厂切换制程导致供应受限，尤其是1a 制程96GB DDR5，整体供需依然偏紧。
　　HBM：闪迪联手SK 海力士推进HBF 标准化，2026 年推首款样品。
　　根据CFM 闪存市场报道，闪迪宣布，已与SK 海力士签署一项谅解备忘录，双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash，HBF) 规范。通过此次合作，双方希望标准化规范、定义技术要求，并探索构建HBF 的技术生态系统。2025 年2 月，闪迪首次提出HBF 高带宽闪存概念。这是一种专为 AI 领域设计的新型存储器架构，结合了3DNAND 闪存和高带宽存储器（HBM）的特性，旨在满足大规模 AI 模型的存储和推理需求。
　　市场端：上周存储现货行情表现分化，渠道DDR4内存条价格开始出现松动。根据CFM 闪存市场报道，前期由传统DRAM 供应缩减驱动的一系列涨价行情并非坚不可摧，DRAM 成品端市场已然出现分化。毫无节制的过高报价正持续浇灭服务器客户采购意愿，短期服务器DDR4 内存条高价实难成交而维持横盘；消费类LPDDR4X 价格在连续数周上涨后也渐趋稳定。反观渠道市场DDR4 内存条开始显露疲态，部分低容量DDR4 内存条渠道价格下滑。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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