存储芯片周度跟踪：低容量EMMC涨价 定制HBM市场或将增长

　　核心观点
　　NAND：群联称2025 年7 月营收创历史同期新高， NAND bit 出货同比增长41%。根据DRAMexchange，上周（20250811-0815）NAND颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.07%至2.04%，平均涨跌幅为0.01%。其中5 个料号价格持平，9 个料号价格上涨，8 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，群联2025 年7 月合并营收56.88 亿新台币，环比减少8.23%，同比增长20.86%。2025 年7 月PCIe SSD 控制芯片出货量同比增长43%，NAND 总bit 出货同比增长41%。群联执行长潘健成指出，目前NAND 市场供应趋紧，公司将聚焦中高阶应用与高附加价值产品，避免陷入价格竞争。
　　DRAM：TrendForce 称2025 年第三季消费级DDR4 合约价或季增85%-90%。根据DRAMexchange，上周（20250811-0815）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.51%至4.74%，平均涨跌幅为0.83%。上周12 个料号呈上涨趋势，6 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce 集邦咨询最新调查，相较PC 和Server 市场，近期消费级DRAM 的供应更加紧张，其终端需求来自工控、网通、电视、消费性电子及控制器等，主要存储器的采用规格为DDR4，但供给排序在PC 与Server 应用之后，使得该市场供需失衡相对更加严峻。2025年七月消费级DDR4合约价飙涨逾60~85%，因此大幅上修2025 年第三季消费级DDR4 合约价到季增85%-90%。
　　HBM：SK 海力士称预计到 2030 年定制 HBM 市场规模将增长到数百亿美元。根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士预计到2030 年定制HBM 市场规模将增长到数百亿美元。由于 SK 海力士和三星、美光等竞争对手采用不同的技术构建下一代 HBM4，HBM4 产品包括客户特定的逻辑芯片或“基础芯片”，有助于管理内存。
　　市场端：资源涨价推动个别低容量eMMC 价格大幅走高，未来恐部分嵌入式产品出现倒挂。根据CFM 闪存市场报道，嵌入式方面，部分原厂供应主流客户一定数量低容量eMMC 产品，同时还面向下游存储厂商释放部分MLC NAND 资源，价格均出现较大涨幅，多数存储厂商跟随资源价格而上调相应的低容量eMMC 产品价格。未来若低容量MLC NAND 价格进一步上涨，8/16/32GB eMMC 与64GBeMMC 或将出现全面倒挂。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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