存储芯片周度跟踪：2Q25全球DRAM市场大增 现货市场以持稳为主

　　核心观点
　　NAND： 佰维存储称NAND 供需失衡情况已明显改善。根据DRAMexchange，上周（20250818-0822）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.90%至1.18%，平均涨跌幅为-0.15%。其中11 个料号价格持平，5 个料号价格上涨，6 个料号价格下跌。根据证券时报网报道，佰维存储在2025 年半年度业绩交流会上表示，2025年一季度，闪迪、长存、美光等存储企业已经分别发布涨价函，个别产品的价格已经有所企稳回升。经过2025 上半年的减产与库存去化，NAND 供需失衡情况已明显改善。
　　DRAM：2Q25全球DRAM市场规模321.01亿美元，环比增长20%。
　　根据DRAMexchange，上周（20250818-0822）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.47%至4.59%，平均涨跌幅为0.55%。上周11 个料号呈上涨趋势，7 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，AI 驱动以HBM3E 和高容量DDR5 为代表的高价值DRAM 需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL 通知刺激传统DDR4/LPDDR4X 价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025 年二季度全球DRAM 市场规模环比增长20%至321.01 亿美元，创历史季度新高。
　　HBM：SK 海力士称预计到 2030 年定制 HBM 市场规模将增长到数百亿美元。根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士预计到2030 年定制HBM 市场规模将增长到数百亿美元。由于 SK 海力士和三星、美光等竞争对手采用不同的技术构建下一代 HBM4，HBM4 产品包括客户特定的逻辑芯片或“基础芯片”，有助于管理内存。
　　市场端：上周存储现货市场以持稳为主，行业DDR4 内存条与LPDDR4X 产品高位盘整。，根据CFM 闪存市场报道，2025 年三季度中旬，通用型DRAM 现货市场渐趋回归平静，行业DDR4 内存条和LPDDR4X 均高位盘整；嵌入式eMMC 产品因部分客户备货积极性不高，市场活跃度有限；行业和渠道SSD 短期则维持稳定。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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