电子行业周观点：AI持续高景气 存力演绎进行时

　　NAND Flash 供应商加速转进大容量Nearline SSD。当前HDD 市场面临显著供应缺口，这一现状反过来推动NAND Flash 厂商加速技术迭代，积极投入122TB 乃至245TB 等超大容量近线（Nearline）SSD 的生产。新一代热辅助磁记录（HAMR）技术产线初期需投入高昂成本，不仅造成产能扩张瓶颈，还迫使供应商将成本压力转嫁至客户端，导致ASP Per GB 从过往的0.012-0.013 美元升至0.015-0.016 美元，HDD 最核心的成本优势被大幅削弱。NAND Flash 借助3D 堆栈技术的持续演进，产能提升速度远超HDD；且随着堆栈层数从上百层向200 层以上突破，晶圆存储位元密度不断提高，预计2026 年2Tb QLC 芯片产能将逐步释放，成为拉低Nearline SSD 成本的核心力量。我们认为Nearline SSD 对HDD 的替代效应将进一步提升NAND 的需求，AI 驱动下存储需求动能不断。
　　三星25Q3 业绩超预期，2027 年将量产HBM4E。三星25Q3 业绩超预期，营收重回存储供应商之首。三星25Q3 营业利润为12.1 万亿韩元（约85 亿美元）超预期，营收攀升约9%至86 万亿韩元。根据Counterpoint咨询，三星电子2025 年Q3 的存储营收达194 亿美元，重返全球最大的存储供应商之首。本季度三星的优异表现主要受益于市场对其传统DRAM与NAND 的强劲需求。在下一代产品方面，三星电子在2025 年OCP 全球峰会上宣布HBM4E 计划于2027 年实现量产。
　　存储价格大幅上涨，威刚10 月开始惜售。DRAM 市场，SSD 成本急剧上升，现货有限，市场部分暂停报价。其中DRAM 市场价格创下年度最大单周涨幅，看涨情绪高涨，炒作势头依然强劲。Flash 颗粒成交价普遍较合约价溢价20%以上；USB 颗粒市场货较少，价格走强。威刚10 月开始惜售，陈立白表示DRAM 三大原厂的库存仅能维持2 至3 周的正常供应。我们认为存储市场价格的持续上涨主要系AI 需求带来的供需紧缺以及AI 存储产能挤占下其他领域的供给减少，存储价格有望续涨。
　　存储涨价已反应至终端，vivo X300 系列售价较前代普遍上调。预计四季度存储原厂将对移动终端用NAND（（Mobile NAND）及LPDDR5X 等产品实施价格上调。存储芯片作为关键硬件，其价格上涨带来的成本压力已在近期发布的部分旗舰手机定价中有所体现。以近日推出的vivo X300 系列为例，在相同存储配置下，该系列机型售价较上一代vivo X200 系列高出100-300 元，且新增16GB+256GB 版本，定价4699 元；而vivo X300 Pro系列与vivo X200 Pro 系列相比，12GB+256GB、16GB+512GB 版本售价保持一致，但16GB+1TB 版本售价上调了500 元。
　　OCP 大会召开，AI 新方案频出。2025 年OCP 正式召开，本届峰会上，围绕AI 主题，多家大厂展出创新产品或解决方案，涉及GPU、AI 服务器、液冷散热、存储器等。其中，英伟达正式发布《800 VDC Architecture forNext-Generation AI Infrastructure》白皮书，预计在最新Vera Rubin GPU平台与Kyber 系统架构中，首次采用800VDC 供电体系，单机柜功率从200KW 升至1MW。此外，十二家公司宣布成立ESUN 工作组。
　　台积电25Q3 业绩大超预期，AI 需求增长强劲。台积电25Q3 实现营收331 亿美元，25Q3 毛利率达59.5%，环比+0.9 个百分点，分制程看，7纳米及以下先进制程合计占晶圆营收的74%，展望25Q4，公司预计营收区间为322–334 亿美元，毛利率区间预计为59–61%。同时，公司预计上调全年资本开支中值，2025 年全年资本支出计划调整为400–420 亿美元（此前为380–420 亿美元），高资本支出和高增长机会挂钩，公司预计25全年美元营收同比增长近35%左右，增长动力源于先进制程持续发力、AI相关需求强劲，同时非AI 终端市场温和复苏，往后看，Tokens 使用量指数级增长，验证AI 模型快速普及，进一步带动了对先进制程硅片持续需求，叠加主权AI 发展，预计AI 计算需求在未来数年维持高景气。
　　Mid training，AI Agent 的下一个战场。我们认为当前主流的两类训练路径均存在难以突破的“高成本”局限，形成“两条瘸腿”的发展现状。
　　Meta 提出名为“早期经验”（Early Experience）的“中训练”范式，旨在搭建跨越模仿学习与强化学习鸿沟的“弥合之桥”。Agent 通过自主探索所引发的环境状态变化，本身即构成极具价值的学习信号，隐式世界建模（IWM）的核心逻辑，是使Agent 掌握“若采取某一行动，环境将呈现何种变化”的预测能力。自我反思（SR）的核心逻辑，是使Agent 掌握“为何专家的行动方案优于自身其他备选思路”的解释能力。隐式世界建模（IWM）与自我反思（SR）虽实施路径不同，但最终目标一致，均旨在让Agent 从自身行为引发的结果中学习，无需依赖外部奖励即可获取丰富的监督信号。三段式训练范式“预训练+中训练+后训练”是通往通用Agent的新路径。
　　相关标的：
　　存储模组：香农芯创、开普云（金泰克）、德明利、江波龙、佰维存储存储芯片：兆易创新、澜起科技、东芯股份、普冉股份海外AI：胜宏科技、东山精密、工业富联、沪电股份等半导体设备：中微公司、北方华创、拓荆科技、百傲化学（芯慧联）、华海清科、芯源微、中科飞测、芯碁微装、盛美上海半导体材料：雅克科技、鼎龙股份、彤程新材、安集科技、兴森科技、天承科技、联瑞新材、兴福电子、德邦科技、华海诚科封测：长电科技、通富微电、甬矽电子、汇成股份风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。
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