半导体跟踪：下游回暖叠加AI需求 DRAM营收规模同比大幅增长

　　集微咨询（JW Insights）发布DRAM 跟踪报告，依靠控制产能，且大厂重心向HBM 倾斜，2023 年四季度DRAM 产品迎来单价上涨，但2023年全年DRAM 营收仍呈颓势，2023 年全球DRAM 营收约500 亿美元水平，同比下降约35%。同时集微咨询预计2024 年全年DRAM 单价同比上涨超过30%，均价ASP 预计在0.32 左右的水平，同时DRAM 位元交付同比增长17-18%，预计在2024 年全球的DRAM 营收水平有望突破800 亿美元大关，同比大幅增长。
　　从需求角度分析，全球DRAM 位元总体需求成长超过20%。分各个大类应用来看，智能手机市场虽然在2024 年整体出货量处于小幅改善，但AIGC 加持会使高端旗舰系列项目DRAM 搭载容量上升，同时存储器/摄像头/屏幕等零部件涨价的前提下，为弥补整机利润下滑，手机厂商入门及低端项目渗透会减少，中高端项目渗透会增多，也会对整体手机DRAM 单机搭载容量有积极作用，预计全球2024 年移动产品整体DRAM位元需求超过80 billion Gb，智能手机单机DRAM 搭载量超过65Gb。
　　2023 年数据中心服务器受北美云服务商资本支出成长停滞影响，DRAM需求出现下滑，而2024 年随着资本支出的成长会恢复增长，同时DDR5渗透会增加并超过DDR4，再加上2024 年新发布的服务器CPU 会支持MRDIMM 新产品，预计2024 年全球服务器DRAM 位元需求呈现约30%成长至86 billionGb。PC 市场在2024 年处于换机周期，同时收到AIPC概念影响，整体DRAM 位元需求呈现15%同比增长，至33 billion Gb。
　　在DRAM 需求最为旺盛的HBM 产品板块，受AI 应用快速渗透推动，与AI 产业强相关的HBM 产品在2024 年会有较大的成长，同时HBM 单价会有强劲成长，预计2024 年HBM 带来的营收会接近全球DRAM 营收的20%，位元需求也会来到6-7billion Gb 水平。
　　在DRAM 供应维度，全球2024 年总体晶元产出同比增长有限，但D1b制程渗透会有较大增长，致使全球DRAM 位元产出增长超过15%，有望达接近250 billion Gb。
　　中国本土DRAM IDM 厂商CXMT(合肥长鑫)，在2023 年表现较为突出，在全球DRAM 单价下降接近40%的情况下，营收水平有10%的成长，到达90 亿人民币。在2023 年，CXMT 受整体产能向G3 工艺平台转移，从而增加位元产出，据统计2023 年CXMT 位元产出同比成长超过80%。2024年CXMT 合肥第二工厂预计在下半年装机完毕，年底正式跑通，北京工厂也会提升产能，预计2024 年年底CXMT 所有工厂设计产能接近240KWPM，位元产出同比2023 年继续有超过50%成长。2024 年CXMT 的营收水平有希望达到300 亿元水平。
　　我们认为DRAM 市场的回暖，将使得整个存储产业链受益，重点受益的公司包括赛腾股份、佰维存储、中微公司、拓荆科技等。
　　风险提示：下游需求回暖不及预期，DRAM 价格下滑。
　　（数据来源：Wind、iFind、国都证券整理）
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