电子行业存储芯片周度跟踪：NANDFLASH晶圆价格上涨 SK海力士1C NM工艺开发成功

核心观点
NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，2024Q2 消费类NAND Flash零售渠道的出货量大幅减少。根据DRAMexchange，上周（0826-0830）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.22%至4.64%，平均涨跌幅为0.51%。其中6 个料号价格持平，9 个料号价格上涨，7 个料号价格下跌。根据TrendForce 集邦咨询最新调查，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。此外，NAND Flash wafer（晶圆）价格持续上涨，使得模组厂的营运成本大幅增加。
DRAM：颗粒价格小幅波动，SK 海力士成功开发第六代10 纳米级（1c）DDR5 DRAM。根据DRAMexchange， 上周（0826-0830）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.73%至0.07%，平均涨跌幅为-1.10%。上周1 个料号呈上涨趋势，17 个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道， SK 海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10 纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM，明年开始供应。
HBM：SK 海力士确认1c nm 工艺将用于HBM 等DRAM 内存产品。
根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10 纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5DRAM。由此，向世界展现了10 纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK 海力士以1b DRAM 平台扩展的方式开发了1c 工艺，而且，SK 海力士在部分EUV 工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV 适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在1c 工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b 工艺相比，其生产率提高了30%以上。
市场端：渠道内存和SSD 价格小幅下跌。上周（0826-0830）eMMC价格环比下跌5.39%，UFS 价格环比下跌3.10%。根据CFM 闪存市场报道，渠道市场经历三轮下跌后跌幅收窄，小容量产品不再降价，需求略增但市场仍消沉，本周渠道内存条和SSD 价格小幅下跌。PC 行业库存高企，OEM 厂商采购和议价意愿低，积极去库存，小容量SSD 需求有限，整体SSD 和内存条价格稳定。嵌入式产品价格全面下调，受消费类需求不振影响，低容量eMMC 降幅大，高容量产品为争取市场小幅调降。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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